結論：トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違いは？
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの最大の違いは「EMCの供給方法」です。トランスファーモールドはタブレット状のEMCを溶融し、ランナー・ゲートを通じて金型キャビティに注入する方式で、QFP・BGA・QFNなど従来型パッケージが中心ですが、ゲート部の制約で0.5mm以下の薄型化が困難です。コンプレッションモールドは顆粒・液状EMCをキャビティに直接充填して上下の金型で加圧するため、ゲート跡がなくFOWLP・FOPLP・薄型BGAに適します。
比較表
トランスファーモールドコンプレッションモールド
| 観点 | トランスファーモールド | コンプレッションモールド |
|---|---|---|
| 成形原理 | EMCタブレットを溶融し、ランナー・ゲートを通じて金型キャビティに注入 | 顆粒・液状EMCをキャビティに直接充填し、上下の金型で加圧成形 |
| 材料形態 | タブレット状固形EMCが主流 | 顆粒状・液状・フィルム状のEMCに対応 |
| 主な適用パッケージ | QFP・BGA・QFN・リードフレームパッケージなど従来品が中心 | FOWLP（ファンアウトウェハレベル）・FOPLP（パネルレベル）・薄型BGA |
| 薄型化対応 | ゲート部分の制約で薄型化（<0.5mm）が難しい | 直接加圧のためゲート跡がなく、より薄型パッケージに対応 |
| 大面積対応 | 金型サイズに制約（個別パッケージ対応が基本） | ウェハ全体・パネル全体を一括封止できる |
| EMC廃材 | ランナー・カルのEMC廃材が発生 | 廃材が少ない（充填量を制御しやすい） |
| スループット | 高い（量産ラインで確立された技術） | 改善が進んでいるが大面積処理には時間がかかる場合も |
| 装置コスト | 成熟した技術で装置コストは安定 | 新型装置のため初期投資が高い傾向 |
FOWLP/FOPLPでコンプレッションモールドが主役になった理由
ファンアウトウェハレベルパッケージング（FOWLP）では、チップをウェハ全面に配置してEMCで一括封止し、再配線層（RDL）を形成します。この工程ではウェハ（直径300mm）またはパネル（600×600mm以上）を丸ごと封止するため、トランスファーモールドのゲート注入方式では均一な充填が困難です。コンプレッションモールドは均一加圧により大面積・薄型封止を実現し、TSMCのInFO・AMKORのSWIFT・ASEのFoCoS等の先端パッケージ技術の基盤となっています。