結論：レーザーダイシングとブレードダイシングの違いは？
レーザーダイシングとブレードダイシングの最大の違いは「接触するかしないか」です。レーザーダイシングはレーザーで加工する非接触方式（ステルスダイシングはウェハ内部に改質層を作り応力で割断）で、機械応力が小さくチッピングが少なく、カーフ幅も狭いため取り数を増やせます。薄ウェハ・low-k・GaAs・MEMSなど脆性材料に強いのが特長です。ブレードダイシングはダイヤモンドブレードで機械的に切削する伝統的手法で、チッピングは出やすいものの、シリコン中心に厚いウェハまで安定して切断でき汎用性とコストで優れます。
比較表
レーザーダイシングブレードダイシング
| 観点 | レーザーダイシング | ブレードダイシング |
|---|---|---|
| 切断原理 | レーザー加工（アブレーション／ステルス内部改質後に分割） | ダイヤモンドブレードで機械的に研削・切削 |
| チッピング・欠け | 少ない（非接触で機械応力が小さい） | 機械応力でチッピングが発生しやすい |
| カーフ幅（切り代） | 狭い（取り数を増やせる） | ブレード厚に依存し比較的広い |
| 対応材料 | 薄ウェハ・low-k・GaAs・MEMSなど脆性材に強い | シリコン中心、厚いウェハも安定して切断 |
| 冷却・環境 | ステルスはドライ（切削水レス） | 切削水（純水）が必須 |
| スループット | 方式による（ステルスは高速分割が可能） | 量産実績が豊富で安定 |
| 代表用途 | 薄型・脆性・先端パッケージ向け | 汎用・コスト重視の量産 |
| 代表装置メーカー | DISCO・東京精密 | DISCO・東京精密 |
ステルスダイシングの仕組みと薄ウェハ対応
ステルスダイシング（Stealth Dicing）はレーザー方式の一種で、ウェハ表面を削らずに内部へレーザーを集光して改質層（SD層）を形成し、その後エキスパンドテープの伸張による応力で分割します。切り屑（デブリ）や切削水が出ないドライプロセスで、チッピングが極めて少ないため、バックグラインドで薄化した薄ウェハや、3D積層に向けたKGDダイの個片化に適しています。一方ブレードダイシングは実績豊富で厚いウェハにも安定し、コスト面の優位から汎用用途で広く使われ続けています。
薄ウェハ・先端パッケージでの選択基準
チップレットやHBM積層など3D／2.5D実装の普及で、ウェハは数十µmまで薄化され、low-k絶縁膜のような脆い材料が増えています。こうした薄く脆いウェハではブレードの機械応力によるチッピングや割れが歩留まりを下げるため、非接触で低応力のレーザー／ステルスダイシングが選ばれます。逆に、厚く機械的に頑健なウェハや低コストが最優先の量産では、ブレードダイシングが依然として合理的です。ダイシングの前工程であるバックグラインドや、個片化後の品質を担保するウェハテストとあわせて工程設計します。