最終更新 2026-10-07

WLCSPとは(ウェハレベルチップスケールパッケージ)

Wafer Level Chip Scale Package
目次7項目
  1. 定義・解説
  2. 図解
  3. 紛らわしい言葉の切り分け
  4. 関連する製品
  5. 関連用語
  6. 比較・違いを学ぶ
  7. 出典・参考資料

定義・解説

WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)は、個片化する前のウェハ状態のまま再配線層(RDL)やはんだバンプ形成といったパッケージ工程を行い、最後にダイシングして完成させるパッケージ技術です。パッケージの外形がチップとほぼ同じ(チップスケール)になるため、現存するパッケージの中で最も小型・薄型を実現でき、スマートフォンの電源管理IC・センサー・RFデバイスに多用されます。

従来のパッケージがダイを切り出してから基板に載せ封止するのに対し、WLCSPはウェハ一括処理で多数チップを同時にパッケージングするため、製造コストとスループットの面で有利です。端子が内側に収まるファンイン型が基本で、I/O数が増えて再配線が足りなくなると、ファンアウト型(FOWLP)へ発展します。両者は連続した技術系譜にあります。

工程は、ウェハ上にパッシベーション・ポリイミド絶縁層を形成し、スパッタとめっきでRDLを描き、はんだボールを搭載してリフローするという流れです。パッケージ基板を使わずチップ裏面が露出するため、実装後の機械的応力・温度サイクルに対する信頼性確保(基板側のCTE整合やアンダーフィル)が設計上の課題になります。

WLCSPはモバイル機器の小型・薄型化を支える基盤技術として需要が拡大しており、TSMC・ASE・Amkorなどがウェハレベルパッケージング設備で量産しています。チップサイズが大きいデバイスではファンアウト(FOWLP/InFO)への置き換えが進み、用途に応じた使い分けが進んでいます。

図解

WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)の製造の流れ
端子をチップの内側に収めるファンイン型。端子を増やしたい場合はFOWLP。

紛らわしい言葉の切り分け

WLCSPとFOWLP。違いは配線をチップの内側に収めるか、外側へ広げるかです。WLCSPはチップの面積内に端子を収めるファンイン型で、パッケージが最も小さくなりますが、端子数はチップの大きさで決まります。FOWLPはチップの外側まで配線を広げるファンアウト型で、端子を増やせます。 比較記事 →

この用語に関連する製品

型番は各社の公式製品ページで確認したものです。出典のリンクは各製品ページに載せています。

SABRE® 3DLam Research・めっき装置(電解銅めっき)
MLA 300Heidelberg Instruments・レーザー直接描画装置
VertaCure™ XPYield Engineering Systems(YES)・ベーク・UVキュア装置
Dragonfly® G3Onto Innovation・ウェハ検査装置
DSC300 Gen3Suss MicroTec・ウェハレベルパッケージング
LITHOSCALE® XTEV Group・ウェハレベルパッケージング
CPM1080TOWA・封止装置(モールディング)
WCM-330アピックヤマダ(Apic Yamada)・封止装置(モールディング)
Fico Molding LineBesi・封止装置(モールディング)

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世界最大の半導体ファウンドリ。3nm、5nm、7nmなど最先端プロセスノードで業界をリード。Apple、NVI…

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比較・違いを学ぶ

出典・参考資料

  1. 東京エレクトロン nanotec museum「半導体用語集:WLCSP」(2026/10/07 確認)
  2. Lam Research「SABRE® 3D 製品ページ」(2026/10/07 確認)
  3. Heidelberg Instruments「MLA 300 製品ページ」(2026/10/07 確認)
  4. Yield Engineering Systems(YES)「VertaCure™ XP 製品ページ」(2026/10/07 確認)