結論：電子ビーム検査（E-beam）と光学検査（Optical）の違いは？
電子ビーム検査と光学検査の最大の違いは「解像度とスループットのトレードオフ」です。電子ビーム検査は数nm〜サブnmの微小欠陥に加え、Voltage Contrastにより配線のオープン／ショートといった電気的欠陥まで検出できますが、1枚あたりの検査時間が長くなります。光学検査は光の回折限界（数十nm〜）に制約される代わりに高スループットで、量産ラインの全数インライン検査に適します。先端ノードでは両者を組み合わせたハイブリッド運用が一般的です。
比較表
電子ビーム検査（E-beam）光学検査（Optical）
| 観点 | 電子ビーム検査（E-beam） | 光学検査（Optical） |
|---|---|---|
| 検出原理 | 電子ビーム走査による二次電子・反射電子像の解析 | 可視〜DUVレーザー光の散乱・反射・回折の解析 |
| 解像度 | 非常に高い（数nm〜サブnmの微小欠陥も検出） | 光の回折限界に依存（数十nm〜が中心） |
| スループット | 低い（1枚あたりの検査時間が長い） | 高い（量産インラインの全数検査向き） |
| 得意な欠陥 | 微小物理欠陥＋電気的欠陥（ボイド・オープン／ショートをVoltage Contrastで検出） | パーティクル・パターン欠陥・異物など物理欠陥が中心 |
| 環境要件 | 高真空が必須（電子光学系） | 大気中で検査可能（装置構成がシンプル） |
| 代表用途 | 先端ノードの研究開発・歩留まり解析・物理故障解析 | 量産ラインの全数インライン欠陥モニタリング |
| コスト・CoO | 装置高価でスループットが低くCoOは高い | スループットが高く量産での検査効率に優れる |
| 代表装置メーカー | KLA・日立ハイテク・Applied Materials | KLA（2900/39xxシリーズ）・Applied Materials |
全数モニタは光学、ホットスポット深掘りは電子ビーム
実際の量産ラインでは、スループットの高い光学検査でウェハ全面を高速にモニタリングし、欠陥が多発する層やホットスポットだけを電子ビーム検査で精密に解析する「ハイブリッド運用」が定着しています。光学検査で『どこに欠陥があるか』を広く拾い、電子ビーム検査で『その欠陥が致命的か（電気的に効くか）』を見極める役割分担です。寸法計測（CD）はCD-SEM、膜厚やプロファイルはOCD（スキャトロメトリ）が担い、検査・計測装置群として連携します。
EUV時代の検査課題とVoltage Contrast
EUVリソグラフィの微細化に伴い、確率的（stochastic）に発生する微小欠陥や、配線のオープン／ショートといった電気的欠陥の早期検出が重要になっています。電子ビーム検査はVoltage Contrast（電位コントラスト）により、像の明暗から導通不良を非破壊で可視化できる点が強みです。マスク側ではアクチニック検査（actinic inspection）が実波長13.5nmでEUVマスク欠陥を検査します。詳細は欠陥検査・ウェハ検査の用語ページを参照してください。