COMPANY DATABASE

Wolfspeed

SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの世界最大手メーカー。EV・太陽光・産業用インバーター向けSiC MOSFETとSiCウェハを一貫製造。旧Cree社のパワー・RF半導体事業が独立し、200mmウェハへの移行を先行している。

🌐 米国IDM公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semirai の材料・パワー半導体の文脈では、SiC ウェハからデバイスまで垂直統合する世界トップ企業として、200mm SiC 量産で EV・再エネ向け SiC MOSFET の供給を先導する立場にあります。

企業の強み

SiCウェハからデバイスまで垂直統合
200mm SiCウェハの量産化を業界で先行
EV・再生エネルギー向けで業界トップシェア

主要製品・ソリューション

SiC MOSFET

  • C3M™ SiC MOSFET
  • WolfPACK™ パワーモジュール

SiCウェハ・エピ

  • 150mm SiC基板
  • 200mm SiC基板(移行中)

GaN RF

  • CGHV Series(GaN HEMTパワーアンプ)

関連装置カテゴリ

化合物半導体基板製造装置(SiC)
パワー半導体製造装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Wolfspeedを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →SiC(炭化シリコン)とは →GaN(窒化ガリウム)とは →パワー半導体とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →PVT法(昇華法)とは →SiCウェハ(炭化ケイ素基板)とは →

同じトピックの用語

化合物基板(SiC・GaN・サファイア) のトピックで関連する用語です。

GaN-on-Si(シリコン上GaN)とは →サファイア基板とは →エピタキシャルウェハ(エピウェハ)とは →レーザースライシングとは →化合物半導体とは →ワイドバンドギャップ半導体とは →

同じトピックの企業

コヒレント(Coherent Corp.)米国レゾナック(旧昭和電工)日本住友電気工業(SiC・化合物半導体)日本SK Siltron韓国AIXTRONドイツVeeco Instruments米国

比較・違いを学ぶ

GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い
GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
Wolfspeed 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る