レーザーダイシングは、半導体ウェハを個々のチップ（ダイ）に切断する際に、ダイヤモンドブレードソーに代わりレーザー光を使用するダイシング技術です。カーフ幅（切断幅）をブレードソーより大幅に縮小でき、1枚のウェハからより多くのチップを取り出せるため、特にSiC・GaAsなど高価な化合物半導体ウェハでの歩留まり向上に有効です。
ステルスダイシング（SD）が主要方式として普及しています。ウェハ内部にレーザーを集光させ改質層を形成した後、テープ拡張でウェハを個片化する方式で、表面への熱ダメージを最小化します。他にもアブレーションダイシング（表面レーザー照射）やDBG（先ダイシング後薄化）との組み合わせも活用されます。
薄化ウェハ（50μm以下）や脆性材料（SiC・GaN）のダイシングでは、ブレードによるチッピング・クラックが問題となりレーザーダイシングの優位性が発揮されます。主要装置メーカーはディスコ（DISCO）、東京精密（Accretech）で、浜松ホトニクスはステルスダイシング方式の特許を保有しています。
