ポリシリコン（Polysilicon：多結晶シリコン）は、結晶方位の揃わない多数の小さな結晶粒（グレイン）が集まったシリコンです。半導体製造では、トランジスタのゲート電極材料や、3D NANDのワード線、MEMS構造材として使われるほか、単結晶インゴットを育てるための高純度原料（フィードストック）としても重要です。
デバイス内のポリシリコンは、主に減圧CVD（LPCVD）で成膜し、不純物をドープして導電性を持たせます。かつてはMOSトランジスタのゲート電極の標準材料でしたが、先端ロジックではHKMG（High-k/メタルゲート）への置き換えが進みました。一方で3D NANDの積層ワード線などでは現在も多用されます。
原料としてのポリシリコンは、シーメンス法などで高純度に精製され、チョクラルスキー法（CZ法）で単結晶インゴットへと成長させる出発材料になります。半導体グレードは11N（99.999999999%）級の超高純度が要求され、太陽電池グレードとは純度が異なります。
高純度ポリシリコンは徳山（トクヤマ）・Wacker・OCIなどが供給します。czochralski（CZ法）やlpcvd、gate-stack、metal-gateの各項とあわせて読むと、材料としての側面とデバイス内での役割の両方が理解できます。
