スキャナー（Scanner）とは、半導体リソグラフィに用いる露光装置の一種で、レチクル（フォトマスク）とウェハを同期させてスキャン（走査）しながら露光する方式の装置です。1980年代まで主流だった「ステッパー（Stepper）」がウェハを静止させて一括露光するのとは異なり、スキャナーはレチクルとウェハを逆方向に連動移動させながら露光するため、大きな露光フィールド・高スループット・より均一な照明が実現します。現代の前工程リソグラフィ装置はほぼすべてスキャナー方式です。
スキャナーの光源別主要タイプは次のとおりです。①KrFスキャナー（248nm）：90nm〜250nmノード主力。②ArFドライスキャナー（193nm）：65nm〜130nmノード対応。③ArF液浸スキャナー（193nm、ArFi）：20nm〜65nmノードの主役、現在も最先端ファブで多数稼働。④EUVスキャナー（13.5nm）：7nm以下ノードに適用。ASMLのみ量産サプライヤー。各光源タイプで開口数（NA）・解像度・スループットの特性が異なり、ファブでは複数タイプを工程別に使い分けます。
スキャナーの主要性能指標としては「解像度（Resolution）」「オーバーレイ精度（Overlay Accuracy）」「スループット（Throughput、WPH：Wafers Per Hour）」「焦点深度（Depth of Focus）」があります。最先端のASML NXT:2100iはスループット305枚/時間（公称）、オーバーレイ±1.0nm、解像度38nmハーフピッチを達成しています。EUVスキャナー（TWINSCAN NXE:3800E）は30mJ/cm²の露光量で毎時220枚以上を処理し、1台あたり数百億円の投資が必要です。
スキャナーの主要サプライヤーはASML（オランダ）・Nikon（日本）・Canon（日本）の3社ですが、EUVスキャナーはASMLの独占です。ArF液浸スキャナー市場でもASMLが80%超のシェアを持ち、NikonとCanonは特定のレガシーノード・特殊用途（FPD、MEMS）向けを中心に展開しています。1台のスキャナーは数万点以上の部品で構成され、レンズ・ステージ・照明系・アライメント系などに高精度サブシステムが凝縮されています。
スキャナーに関連する重要技術として「SMO（Source Mask Optimization）」「計算リソグラフィ（Computational Lithography）」があります。光源形状の最適化（Freeform Illumination）とレチクルOPCを組み合わせ、プロセスウィンドウを最大化します。また、スキャナーとコーター/デベロッパー（Tokyo Electron、TELのACT-12等）をクラスターツール化して搬送時の汚染・環境変動を最小化することが標準的なファブ構成となっています。
