トランジスタ・集積デバイス
広島大学 黒木研究室
SiC を使った集積回路を研究しています。パワーデバイスではなく、約 500℃ の高温や強い放射線のもとで動く CMOS 集積回路が対象で、共同研究者と開発した回路は 2025 年に量産工場での試作に成功しました。
- 研究テーマ2
- 関連する用語3
- 共同研究の実績0
01基本情報
- 大学
- 広島大学（広島県）
- 所属
- 半導体産業技術研究所
- 教員
- 黒木 伸一郎 教授
- 分野
- トランジスタ・集積デバイス
02研究テーマ
研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。
- SiC CMOS 集積回路
- 高温・高放射線の極限環境で動くデバイス
03この研究室に関わる技術
用語集で仕組みと用途を解説しています。
04同じ分野の研究室
研究室一覧 →05出典
2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。