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メモリ・スピントロニクス / トランジスタ・集積デバイス

東北大学 遠藤研究室

STT-MRAM など磁気を使う不揮発性メモリを、素子から CMOS との集積、評価技術まで研究しています。国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)を拠点に、装置・材料メーカーとの産学共同研究を多く進めています。

01基本情報


大学
東北大学(宮城県)
所属
工学研究科/国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)
教員
遠藤 哲郎 教授
分野
メモリ・スピントロニクス・トランジスタ・集積デバイス

02研究テーマ


研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。

  • STT-MRAM の素子と集積
  • MTJ 素子と CMOS の集積プロセス
  • MRAM の評価・測定技術

03この研究室に関わる技術


用語集で仕組みと用途を解説しています。

04企業との共同研究


大学・企業の公式発表や研究室の公式サイトに明記された共同研究です。

アドバンテスト
STT-MRAM のスイッチング電流を測る測定モジュールを共同開発(2018年)(根拠)
東京エレクトロン(TEL)
STT-MRAM の低ダメージ加工プロセスと 300mm プロセス統合を共同開発し、IEDM 2018 で発表(根拠)

05成果を発表している学会


06同じ分野の研究室

研究室一覧 →

07出典


2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。