パワー半導体 / トランジスタ・集積デバイス
大阪大学 先進デバイス工学領域（渡部研究室）
SiC・GaN・酸化ガリウムといったワイドバンドギャップ半導体の MOSFET を、表面・界面科学にもとづくプロセス開発から研究しています。MOS 界面の理解と物性制御が中心テーマで、クリーンルームを使った半導体人材の実践教育も担っています。
- 研究テーマ3
- 関連する用語6
- 共同研究の実績0
01基本情報
- 大学
- 大阪大学（大阪府）
- 所属
- 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース
- 教員
- 渡部 平司 教授
- 分野
- パワー半導体・トランジスタ・集積デバイス
02研究テーマ
研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。
- SiC・GaN・酸化ガリウムを用いた次世代 MOSFET
- 表面界面科学を基軸とした革新プロセスの開発
- ワイドバンドギャップ半導体 MOS 界面の理解と物性制御
03この研究室に関わる技術
用語集で仕組みと用途を解説しています。
04同じ分野の研究室
研究室一覧 →05出典
2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。