Verdict結論
差異在於傳導電流的載子種類。雙極性元件同時利用電子與電洞來傳導電流，代表有雙極性電晶體（BJT）、IGBT與PN二極體。單極性元件只靠電子或電洞其中一種多數載子傳導電流，代表有MOSFET與蕭特基二極體。雙極性元件容易以低損耗通過大電流，但受殘留載子影響，切換速度較慢；單極性元件速度快，MOSFET的閘極幾乎不需電流，可用電壓控制。
主要差異
| 比較項目 | 雙極性（例：雙極性電晶體） | 單極性（例：MOSFET） |
|---|---|---|
| 傳導電流的載子 | 電子與電洞兩者 | 電子或電洞其中一種（多數載子） |
| 控制方式 | 以基極電流控制（電流驅動） | 以閘極電壓控制（電壓驅動） |
| 輸入所需電流 | 需持續提供基極電流 | 閘極幾乎沒有電流（靜態時為0） |
| 切換速度 | 因少數載子累積而容易變慢 | 快 |
| 大電流・高耐壓下的損耗 | 可藉電導調變降低導通電阻 | 耐壓越高，導通電阻越大 |
| 代表性元件 | BJT、HBT、IGBT、閘流體、PN二極體 | MOSFET、JFET、HEMT、蕭特基二極體 |
| 主要用途 | 高頻放大（HBT）、大功率（IGBT）、類比 | 積體電路（CMOS）、低～中耐壓電源 |
積體電路以單極性的CMOS為主角
過去電腦的邏輯電路也是用雙極性電晶體製作，但雙極性電晶體必須持續對基極供應電流，元件一多，功耗與發熱就會變大。MOSFET的閘極是絕緣的，幾乎不流通電流；結合NMOS與PMOS的CMOS只在狀態切換時才消耗電力，因此能整合數十億個元件。所以現今的積體電路幾乎全部以CMOS製作。
功率元件依需求運用兩者的長處
耐高電壓的元件，電流通道必須做得較厚且雜質較少，在單極性的MOSFET中，這部分的電阻就會變大。雙極性元件在通電時會注入大量電子與電洞，產生使電阻下降的電導調變，因此即使在高耐壓下也能降低損耗。IGBT的結構是一邊以MOSFET的閘極控制、一邊利用這種電導調變，兼顧電壓驅動的易用性與雙極性的低損耗。另一方面，SiC MOSFET憑藉材料特性在高耐壓下也能壓低電阻，因此以單極性的形式同時實現高速化與低損耗。
高頻領域雙極性元件仍在第一線
智慧型手機的發射用功率放大器等，使用GaAs或SiGe的異質接面雙極性電晶體（HBT）。原因是其電流驅動能力高，在高頻下也能獲得增益。在同樣的高頻領域中，GaN HEMT這類單極性元件則用於高功率基地台等，依用途區分使用。
常見問題
IGBT是雙極性還是單極性？
IGBT歸類為雙極性元件。其閘極與MOSFET一樣以電壓控制，但導通時由電子與電洞兩者傳導電流，並藉電導調變降低導通電阻。相對地，關斷時受殘留載子影響，切換速度比MOSFET慢。
二極體也有雙極性與單極性之分嗎？
有。一般的PN接面二極體同時利用電子與電洞，屬於雙極性；蕭特基二極體只靠多數載子運作，屬於單極性。蕭特基二極體沒有少數載子累積，因此逆向恢復快，適合高速切換。