IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣閘雙極電晶體）是結合 MOSFET 的電壓驅動（高輸入阻抗・高速切換）與雙極電晶體的大電流・低飽和電壓特性的功率半導體元件。能以高效率切換數百 V～數 kV 的高電壓・數 A～數 kA 的大電流，廣泛用作電力轉換電路的開關元件。
IGBT 的主要用途為變頻器（inverter）電路（交流馬達驅動用），廣泛用於電動車（EV・HEV）的馬達控制、工業機器人、冷氣・冰箱等家電變頻器、太陽能發電・風力發電的功率調節器（PCS）、新幹線・電車的牽引變頻器等。Si-IGBT 製程成熟且成本低，但在高溫・高頻運作方面正逐漸被 SiC-MOSFET 取代。
IGBT 的製造需要功率半導體專用的擴散・離子佈植・磊晶・薄化製程。主要廠商有英飛凌（Infineon Technologies，全球最大市占）、三菱電機、富士電機、安森美（ON Semiconductor）、意法半導體（STMicroelectronics）等。在 EV 普及與再生能源擴大的順風下，市場在與 SiC-MOSFET 區隔應用（低電壓・中頻段用 IGBT，高電壓・高頻段用 SiC）的同時持續擴大。