載子生命期（Carrier Lifetime）是指因光或電流注入而增加的少數載子（N型半導體為電洞，P型為電子），與多數載子再結合而消失前的平均時間，也稱為少數載子生命期。以符號τ（tau）表示，是代表半導體晶體品質與汙染程度的重要指標。在生命期內載子以擴散移動的平均距離稱為擴散長度，以L＝√（Dτ）（D為擴散係數）求得。
生命期由再結合發生的難易程度決定。在矽這類間接能隙半導體中，發光直接再結合的情形很少，主要是經由晶體缺陷或金屬雜質在能隙中形成的能階（深能階）所進行的再結合（SRH再結合）居主導。因此，即使鐵等金屬汙染極微量，生命期也會大幅縮短。高品質的矽晶體可達毫秒等級，但有汙染時會降到微秒以下。載子密度非常高時，涉及3個載子的歐傑再結合也會產生影響。
生命期依用途有時越長越好，有時則希望縮短。在太陽能電池與影像感測器中，為了不損失光產生的載子並減少暗電流，需要長的生命期。另一方面，在高速二極體與IGBT中，關斷時殘留的載子在消失前會持續導通電流，使切換變慢，因此會以電子束照射或鉑・金擴散刻意縮短生命期（生命期控制）。在製造管理上，會以微波光導衰減法（μ-PCD）等非接觸方式量測晶圓的生命期，以監控爐管或設備的金屬汙染。