MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效電晶體）是現代積體電路中的基本開關元件。透過施加於閘極電極的電壓，控制汲極-源極間電流的導通與截止。CPU、記憶體與智慧型手機的 SoC 中整合了數十億個 MOSFET。
其結構由閘極氧化膜（SiO₂ 或 High-K 介電質）、閘極電極、源極、汲極與通道構成。組合 N 通道 MOSFET（NMOS）與 P 通道 MOSFET（PMOS）的 CMOS 架構，是低功耗數位電路的標準。由於閘極氧化膜極薄化（～1nm），正逐步轉向 High-K/Metal Gate 材料。
隨著微縮使閘極長度縮短，短通道效應變得明顯，電晶體結構從平面型演進為 FinFET，再進一步演進為 GAA（Gate-All-Around）。在製造流程中，側壁間隔層的形成（回蝕刻）、LDD（Lightly Doped Drain）結構與淺接面源極/汲極的形成，是左右良率與性能的重要步驟。