Verdict結論
CFET與GAA最大的差異在於「已進入量產還是仍在研發階段」。GAA是由閘極從四面包覆水平奈米片的結構，TSMC N2、Samsung SF3、Intel 18A已在2nm～1.8nm世代開始或規劃量產，相較FinFET可縮小約15～20%的面積。CFET則是將nMOS與pMOS垂直堆疊，目標是比GAA再縮小20～40%的面積，但堆疊時的精密對準極為困難，目前IMEC、台積電、英特爾等仍以1nm以後為目標進行研發。
主要差異
| 比較項目 | GAA（奈米片FET） | CFET（Complementary FET） |
|---|---|---|
| 基本結構 | 閘極從四面包覆水平奈米片（薄板狀通道）的結構 | 將nMOS與pMOS的奈米片垂直堆疊的結構 |
| 與FinFET的關係 | FinFET的直系後繼者（TSMC N2、Samsung SF3、Intel 18A已開始量產） | GAA的進一步演進型（目前處於研發階段） |
| 面積微縮 | 相較FinFET：面積縮小約15～20%（TSMC N2相對N3比較） | 相較GAA：可望再縮小20～40%的面積 |
| 製造難度 | 高（奈米片釋放、選擇性蝕刻複雜） | 極高（需要nMOS、pMOS堆疊的精密對準） |
| 量產時程 | 2024～2025年（TSMC N2、Samsung SF2開始量產） | 預計2030年代以後（目前IMEC、台積電等正進行試作研究） |
| 功耗・效能 | 相較FinFET：同速度下功耗降低約25～30% | 相較GAA：目標進一步降低功耗並提升積集度 |
GAA電晶體（奈米片FET）的實用化現況
GAA是以閘極電極從四面包覆稱為奈米片的水平薄板矽（或SiGe）通道的結構，閘極控制能力比FinFET高，可抑制短通道效應。三星晶圓代工於2022年在全球率先量產3nm GAA（SF3E），台積電預定於2025年以N2節點量產。Intel 18A則採用Ribbon FET（GAA的變形）。FinFET與GAA的詳細比較請參閱FinFET與GAA電晶體的差異。
CFET追求的極致積集化
CFET是將GAA的奈米片針對nMOS與pMOS垂直堆疊的結構。過去nMOS與pMOS是在水平方向並排，CFET則透過垂直堆疊大幅縮小標準單元面積。IMEC已發表概念驗證，台積電、三星、英特爾也將其作為1nm以後的結構進行研究。製程的複雜性（堆疊的精密對準、高選擇比蝕刻、熱處理限制）是最大課題，量產化需要以現行GAA為基礎累積技術經驗。製程節點的整體內容也請參閱FinFET與FD-SOI的差異（製程架構比較）、3nm製程與5nm製程的差異的比較文章。
常見問題
GAA與CFET哪一個是次世代電晶體？
依時間順序來看，GAA在前。GAA是台積電、三星、英特爾已於2024～2025年開始量產的現行次世代技術。CFET則是以GAA的下一個世代（1nm以後、2030年代）為目標、仍處於研發階段的技術，目前尚未量產。
CFET與FinFET、GAA有何不同？
FinFET是鰭狀的Si突起結構，GAA則是由閘極從四面包覆奈米片（薄板）通道的結構。CFET是將GAA的奈米片針對nMOS與pMOS垂直堆疊的結構，可在相同占位面積上以2倍密度配置電晶體，是極致的微縮技術。
Intel 18A與TSMC N2是GAA嗎？
是的，兩者都採用GAA結構。Intel 18A為Ribbon FET（GAA的變形），TSMC N2為奈米片（Nanosheet）FET。Samsung SF3則自2022年起以GAA量產中。