Verdict結論
FinFET與GAA最大的差異在於「閘極包覆通道的面數」。FinFET是由閘極包覆垂直矽鰭片三面的結構，自22nm世代起廣泛採用。GAA是由閘極包覆水平奈米片全周的四面閘極結構，能進一步抑制短通道效應，並可透過奈米片的片數與寬度彈性設計驅動電流。三星（Samsung）自3nm世代起、台積電（TSMC）也自N2世代起轉向GAA。
主要差異
| 比較項目 | FinFET | GAA（奈米片） |
|---|---|---|
| 閘極接觸的面 | 鰭片的3面（三面閘極） | 通道全周（四面閘極） |
| 通道形狀 | 垂直鰭片（寬度約5～7nm） | 水平奈米片（多片堆疊） |
| 閘極控制力與短通道效應抑制 | FinFET已大幅改善，但仍有極限 | 全周閘極實現更高的控制力 |
| 驅動電流的調整 | 以鰭片數調整（階段式） | 可依奈米片的片數與寬度彈性設計 |
| 製程複雜度 | 成熟，設備生態系已建立 | 增加犧牲層（SiGe/Si超晶格）的選擇性蝕刻等步驟 |
| 主要採用節點 | 22nm～5nm（台積電／三星） | 3nm以後（三星GAA、台積電N2等） |
為什麼需要轉向GAA
隨著鰭片寬度縮小，FinFET的閘極控制力逐漸逼近極限，短通道效應（SCE）越來越難以抑制。GAA由閘極包覆通道全周，靜電控制在本質上更優異，能在同一節點同時兼顧降低漏電流與提高驅動電流。此外，透過改變奈米片的堆疊數與寬度，可在同一製程中混合設計高效能型與低功耗型電晶體，這種彈性也是一大優點。
對製程設備的影響
GAA的製造中，會先形成Si與SiGe（矽鍺）交替堆疊的超晶格結構，之後再選擇性去除SiGe犧牲層以釋放奈米片通道，因而增加了製程步驟。此選擇性蝕刻要求高選擇比（SiGe/Si選擇比100以上），因此原子層蝕刻（ALE）技術與新世代蝕刻設備，以及利用高精度ALD（原子層沉積）形成內側閘極絕緣膜與閘極金屬，都不可或缺。
常見問題
GAA是何時開始量產的？
一般認為三星於2022年在3nm節點開始量產GAA（MBCFET）是全球首例。台積電計畫自N2世代（相當於2nm節點）起採用GAA（奈米片FET）。
GAA與奈米線有何不同？
奈米線是由閘極包覆圓柱狀細矽柱全周的結構。GAA奈米片則是將奈米線橫向壓扁成平板狀，在相同寬度下驅動電流更高，設計自由度也更大。目前量產的GAA幾乎都是奈米片型。
從FinFET轉向GAA，需要哪些新設備？
特別重要的有：用於形成SiGe/Si超晶格的磊晶成長設備、用於高選擇比去除SiGe的蝕刻設備（含原子層蝕刻），以及為了在奈米片內側形成閘極絕緣膜與金屬閘極而升級的ALD設備。