奈米片電晶體（Nanosheet Transistor）是GAA（Gate-All-Around）FET的一種形式，其結構是由閘極電極從四周環繞水平堆疊的薄半導體通道（奈米片）。它由FinFET的鰭片（垂直方向的突起）演進為水平方向堆疊的多片薄片，也可以說是將奈米線FET加寬的結構。三星將此結構稱為MBCFET（Multi-Bridge Channel FET），英特爾則取其帶狀之意稱為RibbonFET。
奈米片電晶體最大的優點，是閘極對通道的控制能力比FinFET大幅提升。由於閘極包覆通道四面，可抑制短通道效應（SCE），在降低漏電流的同時維持高導通電流。此外，藉由改變薄片寬度（奈米片寬度），可在同一製程中分別最佳化邏輯用（寬片＝高效能）與SRAM、低功耗用（窄片），實現「可調式（tunable）」設計。
製造上的課題，在於將多片薄奈米片（通常厚5～7nm）精密堆疊，以選擇性蝕刻去除層間的犧牲層（SiGe等）後，再將閘極金屬沉積於四周的製程（包含內間隔層形成）難度很高。以原子層沉積（ALD）均勻沉積High-k閘極介電層、內間隔層的無損傷成形，以及源極/汲極的磊晶成長控制，是良率的關鍵。
三星於2022年在SF3（3nm節點）全球首度量產奈米片電晶體，台積電也將在N2（2nm節點，預定2025年量產）轉向GAA／奈米片。英特爾預定在18A的RibbonFET採用此技術。轉向奈米片電晶體已成為3nm/2nm世代以後主要的架構趨勢。
作為奈米片的下一代，將N通道與P通道奈米片垂直堆疊的CFET（Complementary FET）正在研究中。此外也有人提出在片與片之間設置閘極介電牆、將NFET與PFET一體化的叉型片電晶體。imec、英特爾與台積電正在研究這些技術，作為突破奈米片電晶體微縮極限的下一步。