Verdict結論
CZ法與FZ法最大的差異在於「是否使用石英坩堝」。CZ法從石英坩堝內的熔湯中提拉晶種來成長單晶，因此含有一定量來自坩堝的氧，但可對應300mm等大口徑，是量產用晶圓的標準。FZ法不使用坩堝，以區域熔融使其再凝固，氧與金屬雜質極少，可獲得超高純度・高電阻率，但難以大口徑化，以～150mm等級為主。
主要差異
| 比較項目 | CZ法（柴氏長晶法） | FZ法（浮區法） |
|---|---|---|
| 有無坩堝 | 從石英坩堝內的熔湯提拉 | 不使用坩堝（以區域熔融再凝固） |
| 氧濃度 | 含有一定量來自坩堝的氧 | 氧・金屬雜質極少 |
| 純度・電阻率 | 高純度（標準的高品質晶圓） | 可獲得超高純度・高電阻率 |
| 口徑 | 可對應300mm等大口徑 | 難以大口徑化，以中口徑為主（～150mm等級） |
| 成本 | 量產性高，成本相對較低 | 高純度原料・精密控制，成本高 |
| 主要用途 | 邏輯・記憶體等先進元件全般 | 高耐壓功率半導體・輻射偵測器 |
CZ法成為主流的原因
CZ法可透過控制提拉條件調整直徑、缺陷密度、氧濃度與電阻率，能量產300mm的大口徑晶棒。所含的氧有助於吸雜（捕獲金屬雜質）與機械強度。目前先進邏輯與記憶體用晶圓幾乎全部以CZ法製造。
FZ法獨有的優勢
FZ法不接觸坩堝，氧與金屬的混入極少，可獲得比CZ法更高純度・高電阻率的晶體。少數載子壽命長，是需要高耐壓・低損耗的功率半導體（IGBT・二極體）與輻射偵測器不可或缺的材料。另一方面，難以大口徑化，成本也較高。
選用思維
重視大口徑・量產・成本的先進元件採用CZ法，必須無氧・高電阻率的功率/偵測器用途採用FZ法，兩者各有分工。電動車與再生能源用功率元件需求的擴大，正提高FZ晶圓的重要性。
常見問題
為什麼300mm晶圓以CZ法製造？
FZ法沒有坩堝支撐，難以大口徑化，目前以中口徑為主。CZ法可控制從熔湯提拉的條件，穩定量產大口徑晶棒，因此300mm晶圓以CZ法製造。
FZ法的晶圓用於哪些用途？
由於氧與金屬雜質少、具高電阻率・長壽命的特性，用於要求高耐壓・低損耗的功率半導體（IGBT・閘流體・二極體）、輻射偵測器與高頻元件基板。
CZ法的氧會造成問題嗎？
CZ法的氧對吸雜與機械強度有正面貢獻，但視元件而定也可能影響特性，因此會以施加磁場的CZ（MCZ）等方式控制氧濃度。