浮區法（FZ 法：Float Zone Process，又稱浮動區熔法）是不使用坩堝而使矽單晶成長的晶體製造技術。將多晶矽棒垂直固定，以高頻感應線圈在局部形成熔融區（melt zone），並將其從棒的一端緩慢移動到另一端，在熔化與再凝固的過程中使其單晶化，同時將雜質朝單一方向掃集而達到純化。
FZ 法最大的特徵是不接觸石英坩堝，因此氧與金屬雜質的混入極少，能取得比 CZ 法更高純度、更高電阻率的晶體。其少數載子壽命長，適用於要求高耐壓、低損耗的功率半導體（IGBT、閘流體、二極體），以及輻射偵測器、高頻元件用基板。
另一方面，由於沒有坩堝支撐，大尺寸化相當困難，目前主要以 150mm 左右為主，300mm 這類大尺寸則由 CZ 法負責。此外，由於利用區域熔煉（zone refining）的純化原理，需要極高純度的原料棒與精密的溫度控制，製造成本比 CZ 法高。
FZ 晶圓具有無氧、高電阻率等其他方法難以取代的特性，在電力電子與偵測器領域不可或缺。供應由信越化學、勝高（SUMCO）等負責，並依用途特性與 CZ 法晶圓明確區分使用。電動車（EV）與再生能源用功率元件需求的擴大，正提高 FZ 晶圓的重要性。