Verdict結論
研磨（Lapping）與雙面拋光的差異在於「是削還是磨」。Lapping是讓數μm的氧化鋁、SiC磨粒滾動、以機械方式切削的粗加工，能在短時間內做出厚度與平坦度，代價是表面下會殘留加工變質層。雙面拋光（DSP）是以膠體二氧化矽與鹼液進行的化學機械研磨，移除速度慢，但能得到鏡面且無損傷的表面與高局部平坦度。製程順序是Lapping在前、DSP做最終加工，兩者並非競爭而是前後關係。
主要差異
| 比較項目 | 研磨（Lapping） | 雙面拋光（DSP） |
|---|---|---|
| 加工原理 | 游離磨粒滾動，以微小破壞進行切削（機械式） | 以鹼液軟化後由磨粒移除（化學機械研磨） |
| 磨粒 | 氧化鋁、碳化矽，粒徑數μm | 膠體二氧化矽，粒徑數十nm |
| 在製程中的位置 | 切片後的粗加工 | 蝕刻後的最終加工 |
| 移除率 | 大（可在短時間內去除加工餘量） | 小（精密控制μm以下的移除量） |
| 加工變質層 | 殘留數μm的損傷層 | 不殘留（無損傷鏡面） |
| 表面粗糙度 | 霧面（梨皮面） | 鏡面（可達Ra 0.1nm等級） |
| 主要影響的指標 | 厚度不均、整體平坦度 | 局部平坦度（SFQR）、奈米形貌 |
| 代表廠商 | SpeedFam、Lapmaster Wolters、濱井產業 | SpeedFam、Lapmaster Wolters、各矽晶圓廠商自製 |
為何分成2道製程
剛切片的晶圓殘留數十μm的厚度不均與鋸痕，若直接以拋光去除，會耗費極長時間。因此形成以下分工：先以移除率高的Lapping整形，再以蝕刻化學性地去除過程中產生的加工變質層，最後以鏡面拋光做出表面品質。基本思想是將「以硬磨粒快速切削」與「以化學反應溫和修飾」的製程分開。
雙面同時加工有助於平坦度的原因
單面逐一加工的方式，必須將晶圓吸附或黏貼在定盤上固定，背面的凹凸與黏著層的變形會直接轉印到表面形狀。雙面同時加工方式中，晶圓由載具保持、從上下均勻受壓，在不受拘束的狀態下加工，因此不會發生這種轉印。在曝光焦深變淺的300mm世代，DSP之所以成為標準，正是基於這項原理上的優勢。
從Lapping轉向雙面研削（DDG）
近年來，以固定磨粒的雙面研削（DDG：Double Disk Grinding）取代Lapping的製程愈來愈多。由於磨粒是固定的，無需處理研磨液，加工速度快，損傷層也能控制得相對較淺。不過在平坦度的易實現性上，Lapping仍有其優點，因此這是各矽晶圓廠商製程構成思路分歧的領域。
常見問題
Lapping與雙面拋光只做其中一種可以嗎？
通常兩者都會使用。Lapping是快速去除加工餘量、打好平坦度基礎的製程，雙面拋光則是做出鏡面與局部平坦度的製程，角色不同。省略Lapping會讓拋光耗費極長時間；省略拋光則會殘留加工變質層與粗糙表面，無法製作元件。
什麼是加工變質層？
是磨粒壓入後在表面下產生的晶格紊亂層或微裂紋區域。深度可達數μm，若直接殘留會損害元件特性與強度。前提是必須以Lapping後的化學蝕刻與鏡面拋光將其完全去除。
CMP與DSP是同一種東西嗎？
原理同為化學機械研磨，但對象不同。DSP是矽晶圓廠商對基板本身進行的平坦化，CMP則是晶圓廠在薄膜沉積後對層間介電層或金屬導線進行的平坦化。所用研磨液的化學配方也依目的而異，例如氧化膜用、金屬用等。