柴氏長晶法（CZ 法：Czochralski Process）是製造半導體用矽單晶晶棒（圓柱狀的結晶塊）最普遍的長晶技術。在石英坩堝內以約 1,420°C 熔化高純度矽，將晶種（seed crystal）浸入熔液，一邊旋轉一邊緩慢向上提拉，使繼承晶種結晶方位的大型單晶成長。
藉由精密控制提拉速度、旋轉速度與溫度梯度，可調整晶體的直徑、缺陷密度、氧濃度與電阻率（摻雜物濃度）。CZ 法的特徵是含有一定量從坩堝溶入的氧；這些氧有助於吸雜（gettering，捕獲金屬雜質）與機械強度，但依元件不同也可能成為需要控制的對象。目前主流的 300mm 晶圓用晶棒，幾乎全部以 CZ 法製造。
成長完成的晶棒經外圓研磨使直徑一致後，以線鋸切成薄片，再經過研磨（lapping）、蝕刻、鏡面拋光（CMP）與清洗，製成用於元件製造的拋光晶圓（mirror wafer）。為因應 300mm 化、低缺陷化與大尺寸化，也會採用磁場輔助 CZ（MCZ）等控制熔體對流的技術。
以 CZ 法生產的矽晶圓供應，集中於信越化學、勝高（SUMCO）、Siltronic、SK Siltron 等少數專業廠商，日本業者掌握過半的全球市占率。供應高純度、低缺陷、高平坦度的晶圓，是支撐最先進元件良率的基礎；與浮區法（FZ 法）則依用途與特性區分使用。