材料

ALD/CVD 前驅物（precursor）是在原子層沉積（ALD）與化學氣相沉積（CVD）製程中形成薄膜的起始原料。

組裝材料是後段製程組裝所使用之黏晶材料、焊料、助焊劑、底部填充膠、導線架材料等材料群的總稱。

接合材料是後段製程組裝步驟中，用於晶片（die）與載板、導線架，或晶片之間接合的材料群總稱。

焊線是將晶片焊墊與導線架、載板端子進行電氣連接的極細金屬線。

大宗氣體是氮、氧、氬、氫、氦等晶圓廠大量消耗之通用氣體的總稱。

CMP 研磨液是化學機械研磨（CMP）製程中使用、含研磨粒與化學反應劑的膠體狀研磨液。

切割膠帶與 BG 膠帶是用來固持晶圓的黏著膠帶。

EUV 光阻是使用波長 13.5nm 極紫外光（EUV）之曝光製程專用的感光材料。

High-k 介電層（高介電常數絕緣膜）是取代傳統 SiO₂ 的 MOSFET 閘極絕緣膜材料。

導線架是將承載晶片的晶粒座（die pad）與作為外部端子的引腳一體成形的金屬框架，構成 QFP、SOP、QFN 等封裝的骨架。

Low-k 介電層（低介電常數絕緣膜）是為降低導線層間訊號傳遞延遲與功耗而使用的導線間絕緣材料。

光罩基板（mask blanks）是作為光罩（reticle）製造基材的精密玻璃基板。

封裝膠材與塗層材料是以樹脂覆蓋晶片與焊線，保護其免受機械衝擊、水氣與離子性汙染的材料。

IC 載板位於半導體晶片與印刷電路板之間，是將晶片的細微端子間距擴展為主機板側較粗間距的中介線路板。

光罩保護膜是在光罩圖形面上方數 mm 處張設的透明薄膜，是防止異物直接附著於圖形面的防塵罩。

光罩是繪有電路圖形的曝光用母版，曝光機將此圖形縮小後轉印至晶圓上的光阻。

光阻是在曝光製程中，用來將光罩電路圖形轉印至晶圓上的感光性高分子材料。

製程化學品是用於光阻顯影、不需要薄膜的剝除、表面清洗等濕式製程的液體材料類別。

半導體材料是晶圓、光阻、特殊氣體、CMP 研磨液、封裝樹脂、導線架、焊線等，半導體製造各步驟所使用之多樣材料群的總稱。

焊料材料是用來在電氣與機械上接合晶片、封裝與載板的低熔點合金，在半導體領域作為 BGA 用錫球、覆晶用微凸塊、組裝用錫膏使用。

特殊氣體是半導體製造中薄膜沉積、蝕刻、清洗、摻雜等各步驟所使用之高純度氣體的總稱。

濺鍍靶材是在濺鍍沉積中受離子撞擊而放出原子的材料端板材。

晶圓基板材料是製作元件之基底本身的類別。