自對準矽化物（SALICIDE：Self-Aligned Silicide）是在電晶體的多晶矽閘極及源極/汲極區域，以自對準方式形成矽化物（金屬與矽的化合物），藉此降低接觸電阻與導線電阻的技術。「自對準」是指不需經過光微影的光罩步驟，矽化物只會形成在受間隙壁（spacer）保護的閘極側壁以外、外露的矽表面上。
SALICIDE的代表性製程由4個步驟構成：①濺鍍沉積鈷（Co）或鎳（Ni）等過渡金屬；②以熱處理使金屬與矽反應（第一次退火）；③以選擇性蝕刻去除未反應金屬；④以第二次退火轉變為低電阻相。目前主流為NiSi（矽化鎳），具備低溫形成、低電阻與適合微細加工等優點。
矽化物材料隨著製程節點不斷演進。初期以TiSi₂（矽化鈦）為主流，但因微縮帶來的凝聚問題，改採CoSi₂（矽化鈷）。到了45nm世代以後，NiSi成為標準，目前則為了提高熱穩定性而使用添加鉑（Pt）的矽化鎳（NiPtSi）。
在FinFET製程中，由於Fin頂面與側面的矽化物形成屬於立體形狀，與傳統平面型相比，更難確保矽化物形成的均勻性。尤其在Fin根部（靠近STI的部分）矽化物過度形成會引發漏電流，因此需要精密控制熱處理條件。
轉向GAA（Gate-All-Around）結構後，與源極/汲極部分磊晶成長之矽鍺（SiGe）的矽化物接觸成為新的課題。此外，為了進一步降低接觸電阻，不使用矽化物、直接以釕（Ru）或半金屬鉍（Bi）系材料接觸的歐姆接觸技術也在研究中。應用材料在此領域積極進行產品開發。