データ
プロセスノード世代対照表（TSMC・Samsung・Intel）
最終更新：2026-08-03
要点
プロセスノード名の「nm」はもはや物理的な寸法ではなく各社独自の世代呼称のため、TSMC N3・Samsung SF3・Intel 18Aを数字だけで比較することはできません。実際に比べるべきはトランジスタ構造（FinFET か GAA か）、裏面電源供給の有無、量産開始時期、そしてトランジスタ密度です。この表はその4軸で3社の世代を横並びにしています。
世代別ノード名対照表
| 世代 | TSMC | Samsung | Intel | トランジスタ構造 | 裏面電源供給 |
|---|---|---|---|---|---|
| 5nm世代 | N5 / N5P / N4 | 5LPE / 4LPE | Intel 7（旧10nm ESF） | FinFET | なし |
| 3nm世代 | N3 / N3E / N3P | SF3E / SF3（GAA） | Intel 4 / Intel 3 | TSMC・IntelはFinFET系、SamsungはGAA | なし |
| 2nm世代 | N2 / N2P | SF2 | Intel 20A / 18A | 全社GAA（TSMC Nanosheet／Samsung MBCFET／Intel RibbonFET） | Intel 18AはPowerVia採用、TSMCはN2P以降で検討 |
| 1.4nm世代以降 | A16 / A14 | SF1.4 | Intel 14A | GAA継続、将来的にCFETへ | 各社とも裏面電源を前提化する方向 |
※ ノード名は各社の呼称であり、同じ世代欄に並んでいても製造条件や密度が一致するわけではありません。量産時期は各社の公表計画に基づくため、前後する可能性があります。
「nm」を数字で比べてはいけない理由
かつてプロセスノードの「nm」はゲート長という物理寸法を指していましたが、20nm世代あたりを境にその対応関係は失われました。現在の呼称は各社が自社の世代を区別するためのマーケティング上のラベルで、TSMCのN3とIntelのIntel 3が同じ密度を意味するわけではありません。
比較するなら見るべきは4点です。トランジスタ構造（FinFETかGAAか）、裏面電源供給の有無、実際のトランジスタ密度（MTr/mm²）、そして量産実績です。とくに裏面電源はIntel 18AのPowerViaが業界初の量産投入となる要素で、同じ「2nm世代」でも設計思想が大きく異なります。
関連して、Intel 18AとTSMC N2の違い、FinFETとGAAの違いもあわせて参照してください。