COMPANY DATABASE
Kokusai Electric（国際電気）
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
当サイトでの位置づけ
Semiraiのバッチ式CVD・熱処理カテゴリでは、縦型拡散炉・バッチALD装置を通じてメモリ・ロジックの酸化膜・窒化膜形成プロセスの主役として参照されます。
企業の強み
バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
DRAM・NAND向け酸化膜・窒化膜プロセスに深い実績
主要製品・ソリューション
バッチ式CVD装置
- •VERTEX
- •TRIORA
熱処理装置
- •縦型拡散炉
- •酸化炉
関連装置カテゴリ
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Kokusai Electric（国際電気）を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
イオン注入・熱処理・配線・メタライゼーション のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
レーザーアニールとRTP（急速熱処理）の違い
RTP（Rapid Thermal Processing）はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール（L…
銅配線とコバルト・ルテニウム配線の違い（先端ノード配線材料の比較）
半導体の銅（Cu）配線は1997年にIBMが量産化して以来、ロジックチップの標準配線材料です。しかし5nm以下の先端ノードでは配線幅が10nm以下になり、銅の有…
イオン注入と熱拡散の違い（不純物導入プロセスの比較）
イオン注入（Ion Implantation）は不純物（ドーパント）をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深…
銅配線とアルミ配線の違い（半導体配線の比較）
アルミ配線は古くから使われた成膜＋エッチングで形成する配線、銅配線は低抵抗・高信頼性を求めて導入されたダマシン（溝埋め込み）で形成する配線です。1990年代後半…
スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い
イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの…
Cu-CMPとW-CMPの違い（メタルCMPの比較）
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。