マスク誤差増幅係数（MEEF：Mask Error Enhancement Factor）は、フォトマスク上のパターン寸法誤差がウェハ上の転写パターン誤差に拡大される倍率を表す指標です。MEEF＝（ウェハCDの変化量）÷（マスクCDの変化量×縮小比）で定義され、理想的なリソグラフィではMEEF＝1ですが、実際には光学回折・非線形レジスト応答により1を超えます。
MEEFが重要な理由は、リソグラフィの解像限界近傍では光学系の非線形性が増し、マスクの微小な寸法誤差がウェハ上で増幅されるためです。例えばMEEF＝3の場合、マスク上1nmのCD誤差がウェハ上（縮小比4×を考慮すると）0.75nmの誤差になります。先端ノードではパターン許容誤差がこの量に近くなるため、MEEFの管理が歩留まりに直結します。
MEEFはフィーチャーのタイプ（ライン、コンタクト、アシストフィーチャー）、照明条件（NA、σ、照明形状）、マスク材料（クロム、MoSi）、フォーカス条件により異なります。特に孤立パターンや補助フィーチャーはMEEFが高くなる傾向があり、OPC設計・SMOでMEEFを考慮したパターン補正が必要です。
マスク製造の観点では、MEEFが高いパターンほどマスクCD精度の要求が厳しくなります。EUV露光機では縮小比が4×（DUVと同じ）ながらも、光子数が少なく確率論的効果（ストキャスティック効果）の影響でMEEFが実効的に高まるケースがあります。マスク修正（mask repair）の際もMEEFを考慮した修正量の計算が必要です。
MEEFの測定はウェハ上のCD-SEM計測とマスク計測（マスクCD-SEM、ACROSなど）を組み合わせて行います。KLA、Zeiss（マスク検査・計測装置）、ASML（リソグラフィシミュレーター）が提供するツールでMEEFの予測・計測が可能です。MEEFを最小化するプロセス条件の選択（NA・コヒーレンス・フォーカス）もRMS（レシピ管理）の重要項目です。
