スピンオンカーボン（SOC：Spin-On Carbon）は、半導体製造のリソグラフィ・エッチングプロセスで使用される有機系ハードマスク材料で、スピンコート（回転塗布）により均一な薄膜を形成できる非晶質カーボン系材料です。CVD（化学気相成長）で成膜するACL（Amorphous Carbon Layer）と同様の機能を持ちながら、スピンコート装置で処理できるため生産性が高く、アスペクト比の大きいトポグラフィへの埋め込み性（ギャップフィル性）に優れています。
SOCの主な用途として、①多層ハードマスクスタックのボトム層（厚いカーボン層として、上層のSiON/レジスト薄膜をサポートしつつエッチングに対する高い耐久性を提供）、②パターン転写の中間層（レジストパターンをSOC→基板の順に転写）、③SADP/SAQPのコア材料（スペーサー形成後に選択除去されるコアとして機能）があります。
SOCの光学特性として、露光波長（DUV：248nm、193nm、EUV：13.5nm）で高い光吸収率（消衰係数kが大きい）を持つことが重要です。これにより下層基板からの反射光を吸収し、BARCとしての機能も兼ねることができます。また、レジストパターニング中のフレアやマスク散乱光吸収にも貢献します。
SOCのエッチング特性として、O2またはSO2/O2プラズマでのアッシング（灰化）除去が可能で、SiO2・SiNに対して高い選択比を持ちます。一方、上層のSiON（ハードマスク）はフルオロカーボン（CF4/CHF3）系ガスでエッチングされるため、SOCとSiONは選択的に加工できます。この選択比の差がマルチパターニングの多段転写を可能にします。
SOCの主要メーカーとして、JSR Corporation（日本）、Merck（Brewer Science：米国）、Shin-Etsu Chemical（信越化学工業）、Samsung SDI（韓国）が市場をリードしています。EUVリソグラフィ向けのEUV対応SOC（EUV光での高吸収・低アウトガス）や、2nm以下プロセス向けのナノコンポジットSOC（カーボン+金属酸化物ハイブリッド）の開発が進んでいます。