EUVレジスト（EUV Resist）は、EUV（極端紫外線）露光装置を使った半導体リソグラフィ工程において、波長13.5nmのEUV光に感応して化学的変化を起こすフォトレジスト材料です。EUV光によって露光された部分（ポジ型では可溶化、ネガ型では不溶化）をパターン現像することで、ウェハ上にナノメートルスケールの回路パターンを形成します。
EUVレジストには従来のArFレジスト（193nm対応）とは異なる高度な要求があります。（1）高感度（Sensitivity）：EUV光の光子エネルギーが高い（92eV）一方、フォトンショット数が制限されるため、少ない光量で十分な反応が起きる高感度材料が必要。（2）高解像性（Resolution）：10nm以下の微細パターンを形成できる材料設計。（3）低ラフネス（LWR/LER）：パターンエッジの凹凸を最小化。（4）高エッチング耐性：現像後のパターンがエッチング工程に耐える必要があります。
これら高感度・高解像性・低ラフネスの3要素は「RLS（Resolution-LWR-Sensitivity）トレードオフ」と呼ばれる相反関係にあり、EUVレジスト開発の最大の技術課題です。化学増幅型（CAR：Chemically Amplified Resist）は感度が高い反方、フォトン統計ゆらぎ（ショットノイズ）による局所的な露光量変動がラフネスを増大させます。
次世代EUVレジストとしてMetal-Oxide Resist（MOX）またはMetal-Containing Resist（MCR）が注目されています。ハフニウム（Hf）・スズ（Sn）・チタン（Ti）などの金属酸化物を含む材料は、EUV光の吸収率がCARより高く、感度と解像性を同時に向上できる可能性があります。Inpria（BASF傘下）・Irresistible Materials（IM）などが開発を進めており、TSMCのN2ノード以降での採用が期待されています。
EUVレジストの主要サプライヤーはJSR（日本：世界最大シェア）、東京応化工業（TOK）、信越化学工業（信越化学EUVレジスト）、DuPont（EKC Technology）、住友化学などです。EUVレジスト市場は少量・高付加価値で、各社が極めて高い技術力を競う特殊材料分野です。