パワー半導体
筑波大学 パワーエレクトロニクス研究室（岩室研究室）
SiC パワーデバイスの信頼性とパッケージを研究しています。SiC MOSFET が負荷短絡を受けたあとに残る損傷が信頼性に与える影響や、高速スイッチングのための低インダクタンスパッケージの開発に取り組んでいます。
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SiC パワーデバイスの信頼性とパッケージを研究しています。SiC MOSFET が負荷短絡を受けたあとに残る損傷が信頼性に与える影響や、高速スイッチングのための低インダクタンスパッケージの開発に取り組んでいます。