パワー半導体 / 結晶・材料
名古屋大学 須田研究室
窒化ガリウム（GaN）や窒化アルミニウム（AlN）を使った次世代パワーデバイスを研究しています。窒化物半導体の結晶成長を基盤に、電気・電子機器の省エネにつながるデバイスを目指しています。
- 研究テーマ3
- 関連する用語5
- 共同研究の実績0
01基本情報
02研究テーマ
研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。
- 新規半導体材料を用いた次世代パワーデバイス
- 窒化ガリウム・窒化アルミニウムの結晶成長
- SiC 基板上の III 族窒化物のコヒーレント成長
03この研究室に関わる技術
用語集で仕組みと用途を解説しています。
04同じ分野の研究室
研究室一覧 →05出典
2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。