SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、シリコン（Si）の代わりに炭化ケイ素（SiC）を半導体材料として用いたパワーMOSFETです。SiCはSiと比べてバンドギャップが3倍（3.26eV）・絶縁破壊電界が10倍・熱伝導率が3倍大きく、高電圧（600V〜10kV）・高温（200°C超）・高周波動作が可能です。電気自動車（EV）のインバーター・オンボードチャージャー（OBC）・DC-DCコンバーター向けに急成長しており、Tesla Model 3への採用（2018年）が市場普及の転換点となりました。
SiC MOSFETの主な特性はオン抵抗（RDS(on)）が低く、スイッチング損失が小さいことです。同一電圧定格のSi IGBTと比べてオン抵抗を約1/300に低減でき、スイッチング周波数を高くできることでフィルタ部品（コイル・コンデンサ）を小型化できます。EVのインバーターにSiC MOSFETを採用することで、システム効率が約1〜3%向上し、走行距離の延長・バッテリー容量削減・装置の軽量化が実現されます。STMicroelectronics・Wolfspeed・Onsemi・インフィニオン・ロームが主要サプライヤーです。
SiC MOSFETの製造は従来のSi半導体とは異なる専用プロセスが必要です。SiCウェハ（現在主流は150mm、200mm移行中）へのイオン注入（高温・高エネルギー）・ゲート酸化膜形成（SiO2/SiC界面品質が性能の鍵）・高温アニール（1500°C超）などの工程が特有です。SiCエピタキシャル層の成長にはMOCVD装置が使われます。GaNパワーデバイスとの比較はsic-vs-ganの比較記事を、SiC材料の基礎はsilicon-carbideを参照してください。