パワー半導体 / 結晶・材料
名古屋大学 天野研究室
III 族窒化物半導体（GaN など）の結晶成長とデバイス応用を研究しています。発光デバイスに加え、パワーデバイスやミリ波・マイクロ波デバイスも対象です。
- 研究テーマ3
- 関連する用語6
- 共同研究の実績0
01基本情報
- 大学
- 名古屋大学（愛知県）
- 所属
- 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部
- 教員
- 天野 浩 特任教授
- 分野
- パワー半導体・結晶・材料
- 公式サイト
- imass.nagoya-u.ac.jp
02研究テーマ
研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。
- III 族窒化物半導体の結晶成長とデバイス応用
- 安心・安全で省エネルギー化に貢献する半導体デバイス
- パワーデバイス・ミリ波マイクロ波デバイス
03この研究室に関わる技術
用語集で仕組みと用途を解説しています。
04同じ分野の研究室
研究室一覧 →05出典
2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。