レジスト（フォトレジスト）は露光で溶解性が変わる感光性有機薄膜。化学増幅型CAR（KrF・ArF・EUV）が現代の主流。EUVではショットノイズ起因LWR悪化を解決するメタルオキサイドレジスト（MOR）が台頭。JSR・信越化学・TOKが世界市場80%を占める日本産業の強み。
レジスト（Resist）とは、半導体リソグラフィ（フォトリソグラフィ）工程において、光（紫外線・EUVなど）を受けた部分の溶解性が変化する感光性の有機薄膜材料です。フォトレジストとも呼ばれます。ウェハ表面にスピンコート法で均一に塗布した後、露光・現像を行うことで回路パターンを形成し、その後のエッチングや注入工程のマスク（保護層）として機能します。パターン形成後はアッシングや剥離液で除去されます。
レジストは「ポジ型」と「ネガ型」に分類されます。ポジ型レジストは露光した部分が現像液に溶けてパターンが転写されます（露光部が除去）。ネガ型は露光した部分が架橋反応で硬化し、未露光部が溶解します。現代の先端プロセス（KrF・ArF・EUV）ではほぼポジ型が主流です。また化学増幅型レジスト（CAR：Chemically Amplified Resist）は、少量の光酸発生剤（PAG：Photo Acid Generator）が露光で酸を生成し、PEB（露光後加熱）で酸触媒反応を連鎖させ感度を大幅に高めた現代の主流方式です。
レジストの主要性能指標は、①解像度（Resolution）：最小パターン寸法を形成できる能力、②感度（Sensitivity）：パターン形成に必要な露光量（mJ/cm²）、③LWR/LER（ライン幅ラフネス/エッジラフネス）：パターン端面の滑らかさ、④エッチング耐性：プラズマエッチング時のマスク消耗量、⑤PEB温度感度：焼き温度依存性です。「RLS（Resolution-LWR-Sensitivity）トレオフ」と呼ばれる課題があり、解像度・LWR・感度は同時に改善しにくいトレードオフ関係にあります。
EUVレジストは特別な課題を抱えています。EUV光（13.5nm：フォトン1個あたりのエネルギー92eV）は1ショットのフォトン数がArFの1/14と少ないため統計的ゆらぎ（ショットノイズ）が大きく、LWR悪化の主原因となります。これを解決するためにメタルオキサイドレジスト（MOR：Metal-containing Resist、ハフニウム・ジルコニウム系の無機レジスト）が開発されています。MORは感度・LWR・解像度の三者を同時改善できる候補として注目されており、Inpriaや信越化学・JSR等が開発を進めています。
レジスト主要メーカー：JSR（日本）はEUV・ArFレジストで世界トップシェア、信越化学工業・東京応化工業（TOK）・Fujifilm・Merck（独：旧EMD Performance Materials）・Shin-Etsuが主要サプライヤーです。特にJSR・信越化学・TOKの日本3社は世界のArF・EUVレジスト市場の約80%を占めるとされており、日本の半導体材料産業の強みを示しています。コーター・デベロッパー装置（SCREENセミコンダクターソリューションズ・TEL）と合わせたサプライチェーンで、リソグラフィプロセスを支えています。
