ArF（193nm）露光はドライ（NA<1）と液浸ArFi（NA=1.35：純水）の2方式。SADPやSAQPと組み合わせ7〜10nmノードまで対応。EUV導入後も1チップ100工程超の露光の大部分を担う主力技術。ASML NXT:2100i（305 WPH）・Nikon・Canonの装置をわかりやすく解説。
ArF（Argon Fluoride：フッ化アルゴン）とは、波長193nmのエキシマレーザーを光源とするDUV（深紫外線）リソグラフィ技術です。ArF露光はKrF（248nm）より短い波長により高い解像度を実現し、特に「ArFi（ArF液浸露光）」として純水を介してNA>1を達成することで、45nm〜7nm前後の先端プロセスノードを支えてきた主力リソグラフィ技術です。EUVが普及した現在も、先端ファブでの非クリティカル層と成熟ノードの量産を担う不可欠な技術です。
ArFドライ露光（ArF Dry）は193nm光をそのまま使い、ドライ環境（空気・窒素）でNA<1の露光を行います。解像度は90nm前後が限界となります。ArFi（ArF Immersion：ArF液浸露光）は、投影レンズとウェハの間に純水（屈折率n=1.44）を満たし、実効NA=n×sinθで1.0を超えるNA（最大1.35）を実現します。NAが高くなるほど解像度R=k₁×λ/NAが向上し、45nmから始まり多重露光（SADP/SAQP）と組み合わせることで7nm・10nmノードまで対応できます。
ArFレジスト（化学増幅型レジスト：CAR）はArF波長193nmを吸収し、露光後のPEB（Post Exposure Bake）で酸触媒反応を起こして現像液への溶解性が変化します。ArFレジストはKrFレジストよりアクリレート系樹脂が主流で、高解像度・低LWR（ラインエッジラフネス）が求められます。JSR・信越化学・東京応化（TOK）・Fujifilm・Dongjin Semichem（韓国）などが主要サプライヤーです。
ArFiで使われるマルチパターニング技術は、解像度向上の核心です。SADP（Self-Aligned Double Patterning：自己整合型二重パターニング）はスペーサー技術でパターンピッチを1/2に削減、SAQPはさらに1/4、LELELE（Litho-Etch-Litho-Etch-Litho-Etch）は3回の露光でパターンを形成します。これらによりArFi（λ/NA=193/135=143nm）でも14nmハーフピッチ以下の回路形成が実現します。先端7nmロジックでは全露光工程の70〜80%以上をArFiが担います。
ArF露光装置の主要メーカーはASML（NXT:2100i：最大305 WPH・NA=1.35が最新フラッグシップ）、Nikon（NSR-S635E等）、Canon（FPA-8300iZ等）です。ArFiの世界出荷台数はEUVよりも圧倒的に多く、2020年代においても年間数百台が出荷されています。日本の半導体ファブ（ルネサス・キオクシア・ソニー・Rapidus）でも多数稼働中です。
