NA（Numerical Aperture：開口数）＝n×sinθで定義される露光装置の解像度指標。ArFiはNA=1.35（純水n=1.44）・EUVはNA=0.33・High-NA EUVはNA=0.55。解像度R=k₁×λ/NAと焦点深度DOF=k₂×λ/NA²のトレードオフをわかりやすく解説。
NA（Numerical Aperture：開口数）とは、光学システム（レンズや対物鏡）が集光できる光の角度範囲を表す無次元の指標であり、半導体リソグラフィ（露光装置）において解像度を決定する最も重要なパラメータの一つです。NAは「NA＝n×sinθ（n：媒質の屈折率、θ：最大半角）」で定義されます。NAが高いほど光を細かく絞れるため、より微細なパターンを形成できます。
解像度と焦点深度（DOF：Depth of Focus）はNAに強く依存します。解像度R＝k₁×λ/NA（k₁：プロセス係数、λ：波長）の式から、NAが高いほど解像度が向上します。しかし焦点深度DOF＝k₂×λ/NA²はNAの2乗に反比例して急激に低下するため、NAを高くするほどウェハ表面の平坦性管理が厳しくなります。NA=1.35のArFi液浸と比べ、NA=0.55のHigh-NA EUVでは同じ波長比較でDOFが（0.55/1.35）²≒1/6になる懸念があり、ウェハ・レチクルの平坦度管理が課題となります。
NA=1の壁と液浸露光：ドライ露光（媒質は空気：n=1.0）では物理的にNA<1が限界です（sinθは1を超えられないため）。ArFi液浸露光は媒質を純水（n=1.44）にすることでNA=n×sinθ=1.44×sinθとなり、理論最大NA=1.44が実現します。実際のASML NXT:2100iはNA=1.35を達成しています。さらに高屈折率液体（n>1.5）を使えばNAをさらに上げられますが、実用化には至っていません。
EUV露光でのNA：EUV（波長13.5nm）は反射光学系を使うため、「NA＝sinθ（真空中：n=1）」です。従来EUV（ASML NXE:3600D/3800E）はNA=0.33で、解像度ハーフピッチは約13nm（k₁=0.33時）です。High-NA EUV（ASML EXE:5000/5200）はNA=0.55に引き上げ、解像度は約8nmハーフピッチに向上します。ただしNA=0.55の実現にはアナモルフィック光学系（4x×8xの非対称縮小）が必要で、マスク設計の非互換性という課題も生じます。
NAと関連する概念：「σ（コヒーレンスファクター）」は光源の部分コヒーレンスを表し、解像度・DOFに影響します。「OAI（オフアクシス照明）」はDipole・Quasar・Annular等の特殊照明形状でk₁を低減し実効解像度を向上させます。露光装置のNAはレンズ設計の複雑さとコストに直結し、NA=1.35のArFiレンズは製造難度が極めて高く、最先端光学メーカー（Carl Zeiss等）が独占的に供給しています。
