最大的差異在於「電漿的產生方式，以及因此擅長的離子轟擊方式」。ICP 以流經線圈的高頻電流所產生的感應電場來生成電漿，因此能在低壓（約1～50mTorr）下產生高密度（約10¹¹～10¹² cm⁻³）電漿，並能以不同電源分別控制電漿密度與離子能量。CCP 以平行板電極間的電場產生電漿，密度低1～2個數量級，但電極鞘層上承受很大的電壓，容易得到高離子能量，且即使大面積也很均勻。基於這些特性，在不損傷底層的前提下精密蝕刻閘極、矽等的導體蝕刻以 ICP 為主流；需要強離子轟擊來打斷 Si–O 鍵的氧化膜、氮化膜等介電膜蝕刻則以 CCP 為主流。
主要差異
| 比較項目 | ICP（感應耦合電漿） | CCP（電容耦合電漿） |
|---|---|---|
| 電漿的產生 | 對置於介電窗外側的線圈通入高頻電流，以感應電場加速電子 | 在相對的平行板電極之間施加高頻電壓，以電極間的電場加速電子 |
| 電漿密度 | 高（約10¹¹～10¹² cm⁻³） | 偏低（約10⁹～10¹⁰ cm⁻³） |
| 操作壓力 | 低壓（約1～50mTorr） | 稍高（約10～200mTorr） |
| 密度與離子能量的控制 | 可由線圈端電源（源極功率）與晶圓端電源（偏壓）獨立控制 | 電極同時負責電漿產生與離子加速，兩者容易連動；以2頻化來謀求分離 |
| 離子能量 | 可壓低到低能量，容易抑制底層損傷 | 電極鞘層承受很大電壓，容易得到高能量離子 |
| 均勻性 | 取決於線圈形狀與腔體設計，大尺寸晶圓的均勻化需要下工夫 | 由於是平板電極，即使大面積也容易產生均勻電漿 |
| 主要蝕刻對象 | 矽、多晶矽（閘極）、金屬導線、STI、矽深蝕刻 | SiO₂、SiN 等介電膜、接觸窗孔、通孔、高深寬比孔 |
| 代表性氣體系統 | Cl₂、HBr、SF₆等鹵素系 | C₄F₈、CF₄等氟碳系 |
| 設備結構 | 需要介電窗與線圈，相對複雜 | 結構簡單，容易壓低零組件數量與成本 |
| 在薄膜沉積上的應用 | 高密度電漿 CVD（HDP-CVD） | PECVD（SiO₂、SiN 低溫沉積）的標準方式 |
電漿產生方式的差異
CCP 是在2片平行板電極的其中一片或兩片上施加高頻電壓，以電極間的電場加速電子，使氣體游離。電極與電漿的邊界會形成稱為鞘層、電位差很大的層，離子在此被加速並垂直入射晶圓。也就是說，在 CCP 中，「產生電漿的電場」與「加速離子的電場」來自同一組電極。ICP 則是對隔著介電窗放置的線圈通入高頻電流，以隨時間變化的磁場所感應出的電場加速電子。電漿的產生在線圈端就已完成，因此可在承載晶圓的電極上另接偏壓電源，獨立決定引入離子的強度。這個「能否獨立控制」，正是兩種方式特性差異的出發點。
為什麼導體蝕刻用 ICP
在蝕刻電晶體閘極或矽鰭片的導體蝕刻中，必須維持垂直形狀，同時確實停在只有數nm的閘極絕緣膜等底層上。高密度電漿的反應物種與離子豐富，即使在低壓下也能得到足夠的蝕刻速率，而低壓下離子在途中不易散射，直進性更好。在此基礎上壓低偏壓功率，就能降低離子能量，抑制對底層的損傷與選擇比的下降。密度高、能量低這樣的組合，正因為 ICP 的產生與加速是分離的，才容易實現。
為什麼介電膜蝕刻用 CCP
SiO₂的 Si–O 鍵很強，僅靠化學反應幾乎無法蝕刻。以氟碳系氣體在晶圓表面沉積聚合物，再以高能量離子轟擊以推進反應的離子輔助反應，是介電膜蝕刻的基本原理。CCP 的電極鞘層承受很大的電壓，容易產生高能量離子，平板電極也容易確保大面積的均勻性。目前的介電膜蝕刻設備，一般採用由高頻負責電漿密度、低頻負責離子能量的2頻（或多頻）CCP，CCP 原本控制連動的弱點也已大幅改善。在3D NAND 的通道孔這類深挖氧化膜與氮化膜疊層的製程中，使用的也是這種高離子能量型 CCP。
兩者的界線並非固定
ICP 用於導體、CCP 用於介電膜的區分只是傾向，並非規則。MEMS 的矽深蝕刻（Bosch 製程）與化合物半導體的加工需要高密度，因此以 ICP 為主流，也有以 ICP 蝕刻介電膜的設備。反過來，CCP 也藉由多頻化而能細緻控制離子能量分布。此外，將自由基與離子在空間上分開的遠端電漿，以及以原子層為單位蝕刻的 ALE 等，不屬於任何一方的方式也逐漸增加。比較設備時，與其看方式名稱，不如從要蝕刻的膜、所需選擇比、深寬比與損傷容許度反推，較為可靠。
總結（該選哪一種）
若像閘極或矽那樣想精密地停在底層、想以低損傷垂直蝕刻，適合用 ICP。若是像氧化膜、氮化膜這類需要強離子轟擊的膜，或想在大尺寸晶圓上均勻地挖出深孔，適合用 CCP。判斷的關鍵在於「想如何組合電漿密度與離子能量」。