CCP（Capacitively Coupled Plasma：電容耦合電漿）是在上下2片平行平板電極間施加射頻（RF）功率，以電極間的電場使氣體解離而產生電漿的方式。由於結構簡單，長年來作為最基本的乾式蝕刻方式被廣泛使用，目前仍被許多半導體蝕刻製程與 PECVD 設備採用。
CCP 的運作原理是：對上電極或下電極（或兩者）施加 RF 功率（13.56 MHz 或27 MHz、60 MHz 等），電極間便會形成交變電場，使氣體解離而產生電漿。離子在 RF 鞘層（電漿與電極間的邊界層）中被加速，垂直入射晶圓表面，從而實現非等向性蝕刻。在雙頻（DF 系統：2頻率 CCP）中，可獨立調整高頻（HF：控制電漿密度）與低頻（LF：控制離子能量）。
與 ICP 相比，CCP 的特性為：①電漿密度較低（10⁹～10¹⁰ cm⁻³，為 ICP 的1/10～1/100）；②腔體壓力較高（10～200 mTorr）；③結構簡單、成本低；④在大面積晶圓上產生均勻電漿的能力優異。在電漿密度與獨立控制性上雖不如 ICP，但基於300mm 晶圓的均勻處理、成本與可靠度，也有許多用途選擇 CCP。
CCP 的代表性半導體用途包括矽氧化膜（SiO₂）與氮化膜（SiN）的蝕刻（層間介電層接觸窗等）、使用氟碳氣體（C₄F₈、CF₄）的絕緣膜高選擇比蝕刻，以及 BEOL 導線的通孔蝕刻等。PECVD 設備也以 CCP 電漿為標準，適合低溫沉積 SiO₂、SiN 薄膜。先進邏輯為了精密控制多採用 ICP，但在成熟節點，CCP 仍是主力。
搭載 CCP 的蝕刻設備主要廠商有科林研發（Lam Research，2300 Flex CCP）、應用材料（Applied Materials，Producer Etch、Mesa）、東京威力科創（CCP Etch）與日立高新技術（Hitachi High-Tech）。CCP 在 PECVD 薄膜沉積中也是主要電漿源，搭載於應用材料（Producer GT）與科林研發（Vector）的設備上。