蝕刻
涵蓋乾式蝕刻、濕式蝕刻、電漿製程與灰化等，依照微影形成的圖案選擇性去除薄膜的技術。蝕刻與微影搭配完成圖案轉移，非等向性、選擇比與深寬比控制是先進元件結構成形的關鍵。
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比較文章（2 篇）
- 乾式蝕刻與濕式蝕刻的差異乾式蝕刻與濕式蝕刻最大的差異在於「媒介與非等向性」。乾式蝕刻在真空中利用氣體與電漿產生的離子與自由基，可進行垂直方向切削的非等向性蝕刻，適合奈米尺度的圖形轉移。濕式蝕刻是以藥液進行…
- ICP與CCP的差異最大的差異在於「電漿的產生方式，以及因此擅長的離子轟擊方式」。ICP 以流經線圈的高頻電流所產生的感應電場來生成電漿，因此能在低壓（約1～50mTorr）下產生高密度（約10¹¹～…
用語解說（27 個）
- 乾式蝕刻乾式蝕刻是利用電漿或反應性氣體，以氣相（乾式）方式去除晶圓表面材料的蝕刻方法總稱，是現代半導體製造中形成微細圖形的主力製程。
- 濕式蝕刻濕式蝕刻是將晶圓浸入液態藥液（蝕刻液）或對晶圓噴灑藥液，選擇性溶解、去除晶圓表面特定材料的製程，是半導體製造中最傳統的蝕刻方法。
- 蝕刻設備蝕刻設備是選擇性去除半導體晶圓上薄膜與基板材料的製程設備，以光阻等保護膜為遮罩，透過化學、物理作用精密去除未受遮蔽部分的材料以形成圖案。
- 回蝕刻回蝕刻是以非等向性乾式蝕刻將晶圓整面沿垂直方向均勻削除的製程技術。由於不使用遮罩而對全面進行蝕刻，只有段差的水平部分膜被去除，側壁部分會留下薄膜。利用此特性可形成側壁間隔層，或進行…
- RIE（反應性離子蝕刻）RIE（反應性離子蝕刻）是乾式蝕刻的代表性方式，結合電漿中反應性自由基（化學蝕刻）與離子（物理濺射）的雙重作用，沿垂直方向精密去除晶圓表面材料。
- ALE（原子層蝕刻）原子層蝕刻（ALE）是以原子層1層為單位、自我限制地進行蝕刻的技術，透過交替循環表面化學改質與移除，實現原子層等級的精度與高選擇性。
- 自由基自由基是具有未成對電子的中性原子或分子，化學上非常容易反應。在半導體製造中，指電漿中氣體分解產生的 F、O、Cl 等，在低壓電漿中其數量比離子多1至數個數量級。離子垂直撞擊、負責加…
- ICP（電感耦合電漿）ICP（電感耦合電漿）是對線圈狀天線施加 RF 功率以感應出磁場，使腔體內氣體解離的電漿產生方式。可在1～50mTorr 的低壓下維持10¹¹～10¹²cm⁻³的高密度電漿，特點是…
- CCP（電容耦合電漿）CCP（電容耦合電漿）是在2片平行平板電極間施加 RF 功率，以電場使氣體解離而產生電漿的方式。結構簡單且容易獲得高離子能量，適用於高深寬比的氧化膜蝕刻與 PECVD。電漿密度雖低…
- 蝕刻蝕刻是依照光阻圖形移除不要的薄膜。台灣說「蝕刻」「電漿」，中國大陸說「刻蚀」「等离子体」。
- 電漿蝕刻電漿蝕刻是在真空腔體內產生電漿，利用電漿中的活性物種（自由基、離子）去除晶圓表面材料的蝕刻方法總稱，有時也作為泛指包含RIE在內之乾式蝕刻技術整體的廣義用語。
- 電漿（半導體製造）電漿是氣體解離成電子與正離子的「物質第4態」，是半導體製造中蝕刻、薄膜沉積與清潔的基礎技術。以 RF 功率等使低壓氣體解離，將反應性高的自由基與離子供應到晶圓表面。依產生方式大致分…
- 原子層蝕刻（ALE）原子層蝕刻（ALE）是以每次1個原子層的方式精密去除表面原子的蝕刻技術，藉由交替重複表面改質與低能量離子照射（或熱處理）的自我限制反應，以埃米級精度控制蝕刻。
- 蝕刻選擇比選擇比（蝕刻選擇比）是欲蝕刻材料與欲保留材料的蝕刻速率之比，定義為目標材料的速率÷光罩層或底層的速率。數值越高，越能只選擇性地去除目標層，防止底層過度蝕刻。隨著微縮與高深寬比化推進…
- 過蝕刻過蝕刻是在達到目標蝕刻量之後，刻意再繼續追加蝕刻的操作。由於晶圓面內有蝕刻速率與膜厚的差異，為了讓最慢的位置也不留下殘膜，通常會追加蝕刻時間的10～30%左右。前提是要有高選擇比，…
- 深寬比深寬比是溝槽、通孔、接觸孔等微細結構的「深度÷寬度」比值。深寬比越高（越深越細），蝕刻加工以及後續成膜時的填充（間隙填充）就越困難。在3D NAND中，超過100:1的高深寬比蝕刻…
- 灰化（Ashing）灰化是在蝕刻或離子佈植結束後，以氧電漿去除已完成任務之光阻的製程。將屬於有機物的光阻氧化、分解為 CO₂、H₂O 等揮發性氣體後排出。又稱為光阻剝除（resist strippin…
- 深反應離子蝕刻（DRIE）深反應離子蝕刻（DRIE）是以高深寬比（深度/寬度比在10以上）精密蝕刻矽等材料的進階乾式蝕刻技術，特點是能在保持近乎垂直側壁的同時形成深結構。
- 選擇性蝕刻選擇性蝕刻是在多種材料共存的表面上，僅選擇性去除特定材料、幾乎不蝕刻其他材料的高選擇比蝕刻技術總稱。
- 終點偵測（Endpoint Detection）終點偵測是在蝕刻或研磨（CMP）等去除類製程中，即時偵測目標層去除完成的瞬間（終點），並自動停止或切換製程的量測與控制技術。
- MEMS（微機電系統）MEMS（微機電系統）是應用半導體微細加工技術，將機械結構體（感測器・致動器・微流道等）與電路整合在同一基板上的元件・技術總稱。
- 刻面（Facet）刻面（Facet）是指出現在物體表面的平坦面，在半導體領域主要有2種意思。1種是結晶面直接露出的面，以鹼性溶液蝕刻矽時，{111}面會以54.7°的斜面出現。另1種是乾式蝕刻時光罩…
- 微負載效應微負載效應是指乾式蝕刻中，蝕刻速率依圖案密度或開口大小而局部改變的現象。圖案密集處反應物種不足，細而深的孔洞中反應物種難以到達底部，因此蝕刻變慢。這會造成溝槽或孔洞深度不一致，可透…
- 充電效應（Charge-up）充電效應（Charge-up）是指由電漿・離子束・電子束帶來的電荷累積在絕緣物或晶圓表面而帶電的現象。在電漿蝕刻中，孔洞底部帶電使離子軌道彎曲而造成形狀不良；在離子佈植中會造成閘極…
- 電漿鞘層（Sheath）電漿鞘層是電漿與腔壁・電極・晶圓接觸的邊界所形成、電子少而正離子多的薄層。鞘層中的強電場會加速離子使其垂直入射晶圓，是非等向性電漿蝕刻的來源。以射頻偏壓控制離子能量，並在晶圓邊緣以…
- 自偏壓（Vdc）自偏壓是以射頻功率產生電漿時，在電極或晶圓上自然產生的負直流電壓（Vdc）。由於輕的電子與重的離子移動難易度不同，經由阻隔電容連接的電極會累積負電荷而產生。它決定入射晶圓的離子能量…
- ECR電漿（電子迴旋共振）ECR電漿（電子迴旋共振電漿）是讓在磁場中旋轉的電子與微波產生共振，有效率地將能量傳給電子所產生的高密度電漿。使用2.45GHz微波時，約在875高斯的磁場下產生共振。由於能在低壓…
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最後更新：2026年10月8日