ICP（Inductively Coupled Plasma：電感耦合電漿）是對線圈狀天線施加射頻（RF）功率以感應出磁場，使腔體內氣體解離而產生電漿的方式。與 CCP（電容耦合電漿）同為半導體蝕刻設備的主要電漿源方式，特點是能以較低的腔體壓力（1～50 mTorr）維持較高的電漿密度（典型為10¹¹～10¹² cm⁻³）。
ICP 的運作原理是：對配置於腔體上方的線圈天線（電感）供應通常為13.56 MHz 的 RF 功率，便會產生時變磁場，腔體內的氣體電子因電磁感應而被加速，進而產生電漿。另外，對承載晶圓的下電極施加偏壓 RF 功率，即可獨立控制離子入射晶圓的能量。因此能分別最佳化「電漿密度（蝕刻速率）」與「離子能量（非等向性、選擇比）」，這是 ICP 最大的優勢。
與 CCP 相比，ICP 的優點有3項：①電漿密度高（為 CCP 的10～100倍），蝕刻速率高；②在低腔體壓力下穩定運作，離子直進性增加，非等向性高；③可獨立控制離子能量與電漿密度。另一方面，ICP 的腔體設計複雜、成本高，在低壓下控制均勻性也需要高度的設計能力。
ICP 在半導體製造中的主要用途包括高深寬比深溝加工（DRIE：Deep Reactive Ion Etching，以 Bosch 製程對矽進行數十 μm 的深蝕刻）、FinFET 鰭片形成、MEMS 製造中的矽深蝕刻，以及 GaAs、InP 等化合物半導體蝕刻等。又稱為 ICP-RIE，也被用於最先進邏輯的閘極蝕刻。
ICP 蝕刻設備的代表廠商有科林研發（Lam Research，Kiyo；該公司稱為 TCP）、東京威力科創（Tactras ICP）、應用材料（Applied Materials，Centris ICP）、SPTS Technologies（特別是 MEMS 與化合物半導體用的深蝕刻 ICP）、Oxford Instruments 等。ICP 設備作為乾式蝕刻設備的高階機種，需求持續擴大。