RIE（Reactive Ion Etching，反應性離子蝕刻）是乾式蝕刻的代表性方式，結合電漿中反應性自由基（化學蝕刻）與離子（物理濺射）的雙重作用，沿垂直方向精密去除晶圓表面材料。藉由化學與物理的加乘效果，實現濕式蝕刻無法達成的非等向性（縱向選擇性蝕刻），成為現代微細圖形形成的核心技術。
RIE 的原理是將導入腔體的反應性氣體（SF₆、Cl₂、C₄F₈、CHF₃ 等）以 RF（射頻）電源電漿化，並使產生的離子朝晶圓（陰極側）加速。由於離子沿垂直方向入射，不會打到圖形側壁，而是優先蝕刻底面（非等向性）。自由基則藉由化學反應，將矽、氧化膜等轉換為揮發性化合物加以去除。
RIE 的主要變化形式有 ICP-RIE（感應耦合電漿）。ICP 對線圈天線施加射頻以產生環形電漿，能以低壓維持比 CCP（電容耦合型）更高密度的電漿。藉此可獨立控制蝕刻速率與選擇比，適合形成深溝槽（DRIE：Deep RIE）與高深寬比結構。
脈衝調變 RIE（Pulsed RIE）以脈衝方式施加 RF 功率，可獨立控制離子能量與電漿密度，在微細圖形中兼顧局部蝕刻的均勻性（降低微負載效應）與高選擇比。已被採用於先進邏輯（3nm 以下）的閘極蝕刻與3D NAND 的通道孔形成。
主要設備廠商中，科林研發（Kiyo、Flex 系列）擁有全球最大市占，其次為東京威力科創（Tactras、Certas）與應用材料（Producer Etch、Centris）。蝕刻設備與成膜設備並列為半導體製造設備中最大的區塊，隨著先進節點的推進，技術革新持續進行。