乾式蝕刻是利用電漿或反應性氣體，以氣相（乾式）方式去除晶圓表面材料的蝕刻方法總稱。與使用藥液的濕式蝕刻不同，乾式蝕刻是在真空腔體內產生電漿進行處理。在現代半導體製造中，是形成微細圖形的主力製程。
代表性的方式是 RIE（Reactive Ion Etching，反應性離子蝕刻），結合化學蝕刻（自由基反應）與物理濺射（離子撞擊）。由於在垂直方向具有很強的非等向性，可將寬度數 nm 至數十 nm 的微細圖形側壁垂直地形成，是電路高密度化不可或缺的技術。依電漿源方式不同，還有 ICP（感應耦合電漿）與 CCP（電容耦合電漿）等變化形式。
乾式蝕刻的選擇比（欲蝕刻材料與欲保留材料的蝕刻速率之比）由製程氣體的組成、壓力與功率控制。代表性的組合為：矽使用 SF₆/Cl₂ 系，SiO₂ 使用 CxFy 系（C₄F₈ 等）氟碳氣體，SiN 使用 CHF₃ 系。蝕刻氣體組成的最佳化直接關係到最終圖形形狀的控制。
乾式蝕刻的主要用途包括閘極電極的加工、接觸孔與通孔的形成、側壁間隔層的回蝕刻、溝槽隔離（STI）、3D NAND 的通道孔形成等。在先進製程中，可進行原子層等級控制的 ALE（Atomic Layer Etching，原子層蝕刻）也逐漸興起。
ALE（原子層蝕刻）是 ALD 的逆向製程，一次精密去除表面1個原子層。它是高深寬比結構、GAA 奈米片形成、精密 SiGe 選擇性去除等不可或缺的尖端技術。主要設備廠商為科林研發（Kiyo、Flex 系列）、東京威力科創（Tactras、Certas 系列）、應用材料（Producer、Centura 系列）。