選擇比（Selectivity）是指在蝕刻製程中，「欲蝕刻的材料（目標）」與「欲保留的材料（遮罩或底層）」的蝕刻速率之比。定義為選擇比＝目標材料的蝕刻速率÷遮罩（或底層）的蝕刻速率，數值越高，越能選擇性地去除目標材料。高選擇比是確保圖案尺寸精度、良率與製程窗口不可或缺的參數。
具體例子：以 C₄F₈ 氣體蝕刻 SiO₂ 時，對 Si（底層）的選擇比約為10～50:1；以 Cl₂ 蝕刻 poly-Si 時，對 SiO₂（閘極氧化層）的選擇比要求為50～200:1。在形成接觸窗時，為了防止損傷矽基板或擴散層，特別重視 SiO₂ 對 Si 的選擇比。選擇比不足會損傷蝕刻停止層或底層，導致元件特性劣化與良率下降。
主導選擇比的主要因素有：①蝕刻氣體的化學組成（C₄F₈ 等氟碳系氣體的氧化膜選擇性高）；②氣體壓力（低壓下以離子為主，對 Si 的選擇性傾向較高）；③基板偏壓功率（離子能量高時機械性濺射增加，選擇比下降）；④腔體溫度（低溫下聚合物沉積增加，選擇比提升）。製程工程師精密調整這些參數，以實現所需的選擇比。
在先進製程中，選擇比管理的難度日益增加。3D NAND 的字元線（WL）蝕刻需以數十:1的高深寬比一次蝕刻 SiO₂ 與 SiN 交互堆疊100層以上的膜，因此 SiO₂/SiN 間選擇比與均勻性的控制極為困難。GAA 奈米片形成需要 SiGe/Si 原子層級的選擇性蝕刻（SiGe 與 Si 的選擇比>100:1），ALE（原子層蝕刻）正逐步被正式採用。
高選擇比製程的開發是蝕刻設備廠商的核心技術。科林研發、應用材料與東京威力科創在專為選擇比控制設計的製程套件（腔體材料、注入器設計）與反應氣體組成最佳化技術上相互競爭。CARBEX 製程（添加含碳氣體）與 ALE 等新方法，也被用作提升選擇比的手段。