背照式影像感測器（BSI：Back-Side Illumination）是CMOS影像感測器中，不經過導線層、而從晶圓背面取光的結構。傳統的正照式（FSI）在受光部前方有導線層會遮擋光線，BSI則將導線配置於光二極體的另一側，能更有效率地收集更多光線。
此結構使靈敏度與低雜訊性能大幅提升，尤其在暗處與小像素時更為明顯。像素越微縮，FSI越難確保開口率，因此在智慧型手機用的小型、高畫素感測器中，BSI已成為標準。由於需將晶圓薄化後從背面入光，精密的晶圓薄化與接合技術不可或缺。
進一步演進的堆疊式（Stacked）CIS，是將像素陣列晶片與訊號處理、邏輯晶片分別製造，再以混合鍵合（Cu-Cu接合）貼合。藉此能在小面積內實現高速的行並列AD轉換與高功能的影像處理。
索尼（Sony）在BSI與堆疊式CIS領域引領全球，在車用、智慧型手機與工業用途中的採用持續擴大。搭配CMOS影像感測器、CCD、晶圓接合、混合鍵合等條目一起閱讀，即可理解攝像元件結構的演進與後段製程技術之間的關聯。