混合鍵合（Hybrid Bonding）是在接合半導體晶片或晶圓時，將銅（Cu）金屬焊墊與氧化矽（SiO₂）介電質同時直接接合的技術，是不使用凸塊（焊料突起）、實現超微細間距立體堆疊的先進封裝技術。無凸塊接合可將電極間距微縮至1μm以下，實現高密度、低延遲、低功耗的垂直堆疊。
混合鍵合的製程步驟為：①表面活化（電漿處理或SAB：Surface Activated Bonding）；②在室溫下暫時接合（dielectric bonding）；③以退火（150～400℃）利用Cu焊墊的熱膨脹差完成金屬接合。接合介面要求次奈米等級的平坦度，CMP精度與清洗步驟的品質直接左右接合良率。
混合鍵合作為HBM（High Bandwidth Memory）的次世代堆疊技術備受矚目。現行HBM採用微凸塊接合（間距約55μm），HBM4世代以後則正在評估轉向以混合鍵合實現9μm間距以下的接合。台積電的SoIC（System on Integrated Chips）與三星的X-Cube都是運用混合鍵合的3D堆疊產品。
接合形式分為晶圓對晶圓（W2W）、晶粒對晶圓（D2W）、晶粒對晶粒（D2D），依產品特性分別採用。W2W產能高，但晶粒尺寸必須一致，良率最佳化困難。D2W可只挑選已知良品晶粒（KGD）進行接合，較為實用，但對準精度與生產力的平衡是其課題。
EV Group（EVG）、ACSESS等晶圓接合設備廠商，以及ASMPT等黏晶設備廠商，均推出支援混合鍵合的產品。接合後的檢測（接合介面評估）使用超音波顯微鏡與X光CT。2025～2030年間，混合鍵合作為AI晶片與記憶體3D整合的主要技術，正快速普及。