CMOS 影像感測器製造
涵蓋 CMOS 影像感測器的畫素結構、背照式（BSI）、晶圓堆疊、彩色濾光片與微透鏡等製造技術。影像感測器結合光電轉換與訊號處理電路，晶圓接合與低雜訊製程是其特有的製造重點。
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比較文章（3 篇）
- CMOS影像感測器與CCD的差異最大的差異在於「如何讀出光所產生的電荷」。CCD以接力傳遞的方式搬運各像素的電荷且不使其流失，在輸出端的1處統一轉換為電壓。由於轉換電路共用，可得到均勻、低雜訊的影像，但需要高驅動…
- 混合鍵合與覆晶接合的差異混合鍵合與覆晶最大的差異在於「有沒有凸塊」。混合鍵合將Cu電極直接熱壓接合，不需要凸塊，可實現連接間距1～10μm、10,000～100,000個連接/mm²這種高出好幾個數量級的…
- 2.5D封裝與3D IC封裝的差異2.5D封裝與3D IC封裝最大的差異在於「晶片是水平並排還是垂直堆疊」。2.5D是在矽或玻璃中介層上並排配置多顆晶粒，以40～55μm間距的微凸塊連接（代表為CoWoS・EMIB…
用語解說（9 個）
- 半導體製造用材料半導體材料是半導體元件製造所使用之各種材料的總稱，涵蓋矽晶圓、成膜材料、光阻、蝕刻氣體、CMP 研磨液、清洗藥液等，用於製程的各個步驟。
- 磊晶磊晶是在單晶基板上，沿著基板的晶格方向成長一層單晶薄膜的技術。從矽磊晶晶圓、先進電晶體的源極與汲極，到氮化鎵元件，都會用到磊晶。
- 晶圓接合晶圓接合是將2片晶圓或薄化晶粒高精度對準後接合的技術。包括不使用黏著劑、直接接合表面的直接接合，以及同時接合 Cu 電極與絕緣膜的混合鍵合等方式，用於3D IC、SOI 基板、ME…
- CMOS 影像感測器（CIS）CMOS 影像感測器（CIS）是利用CMOS（互補式金屬氧化物半導體）技術將光轉換為電訊號的固態影像感測元件，占全球固態影像感測元件市場的大半。
- 矽穿孔（TSV）矽穿孔（TSV）是垂直貫穿矽晶片、內部填入金屬的導通孔，讓上下堆疊的晶片以最短的距離連接，是 HBM 與 3D 封裝的核心技術。
- 混合鍵合（Hybrid Bonding）混合鍵合是將銅（Cu）金屬焊墊與氧化矽（SiO₂）介電質同時直接接合，不使用焊料凸塊即可堆疊晶片的技術。由於不需凸塊，電極間距可微縮至1μm以下，實現高密度、低延遲、低功耗的3D堆…
- CCD影像感測器CCD（電荷耦合元件）是以光二極體將光轉換為電荷，再像接力傳水桶般依序傳送電荷並讀出的影像感測器。發明於1970年代，因雜訊少、畫質優異，長期是數位相機與科學量測的主角，但已被低功…
- 背照式影像感測器（BSI）背照式影像感測器（BSI）是CMOS影像感測器中，不經過導線層、而從晶圓背面取光的結構。傳統的正照式在受光部前方有導線層會遮擋光線，BSI則將導線配置於光二極體的另一側，大幅提升靈…
- 光二極體光二極體是將光轉換為電訊號的受光元件，利用光照射pn接面或pin結構時產生電子與電洞而使電流流通的光電效應。由於可得到與光強度成正比的電流，被用作光感測器、光通訊的接收元件，以及影…
最後更新：2026年10月8日