依元件分類
依元件分類的製造設備，是針對化合物半導體（GaN・SiC・GaAs）、MEMS、功率半導體等，具有不同於矽邏輯・記憶體的材料特性或結構的專用元件而最佳化的製造設備。各元件類別需要獨特的磊晶成長、厚膜蝕刻、犧牲層加工、晶圓接合等特殊製程，設備配置與通用 Si 製程有很大差異。這是支撐 5G 通訊、電動車（EV）、再生能源、IoT 感測器、LED 等推動社會電動化・無線化之先進應用的根基領域，定位為補足前段製程・後段製程通用設備類別。
細分類 6 類
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化合物半導體
化合物半導體製造設備是專門用於製造 GaAs・InP・GaN・SiC 等化合物半導體元件（功率半導體・RF／微波元件・光元件）的設備。
CMOS 影像感測器製造設備CMOS 影像感測器（CIS：CMOS Image Sensor）製造設備是以半導體製程製造將光轉換為電訊號之光二極體陣列的設備，應用範圍涵蓋智慧型手機、汽車、醫療、工業相機等。
MEMSMEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）製造設備是專門用於在同一基板上製作微米尺度機械結構與電子電路之微機械元件的設備。
功率半導體功率半導體製造設備是製造 IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFET 等功率元件的設備，決定電力轉換的效率、耐壓與耐熱性能。
RF 半導體製造設備（GaN/GaAs）RF 半導體製造設備是以 GaN（氮化鎵）・GaAs（砷化鎵）・InP（磷化銦）等化合物半導體為基板，製造在高頻段（微波・毫米波）運作之功率放大器、開關、LNA 等元件的設備。
SiC 功率半導體製造設備SiC 功率半導體製造設備是專門用於製造以碳化矽（SiC）為基板材料之功率元件（SiC-MOSFET・SiC-SBD 等）的設備。
重點整理
針對化合物半導體（GaN・SiC・GaAs）、MEMS、功率半導體等專用元件的設備
需要磊晶成長・厚膜蝕刻・晶圓接合等特殊製程
支撐 5G 通訊・EV・再生能源・IoT・LED 等先進用途的根基
設備配置與通用 Si 製程不同，專業供應商具有優勢