SRAM（Static Random-Access Memory：靜態隨機存取記憶體）是以正反器電路（以 6個電晶體記憶1位元的 SRAM 單元）保存資料的揮發性記憶體。與 DRAM 不同，不需要刷新動作，存取速度極快（1～5ns 等級），因此作為 CPU、GPU、SoC 的快取記憶體（L1／L2／L3 快取）不可或缺。AI GPU 的快取（SRAM）容量已成為左右 AI 推論效能的重要指標。
SRAM 與 DRAM 的主要差異在於單元結構。DRAM 是1個電晶體＋1個電容（1T1C）的簡單結構，特點是高積體度與低成本，但需要定期刷新。SRAM 是 6個電晶體（6T）單元，面積較大，但具有高速、低功耗、不需刷新的特性。在相同製程節點下，所需面積約為 DRAM 的 6～8倍，因此不適合大容量化，但在存取速度至關重要的用途中無可取代。
在 AI 時代，SRAM 容量的重要性急速上升。Apple M4 晶片搭載 192MB 系統級快取（SLC），實現 GPU 運算與 CPU 運算之間有效率的記憶體共享。NVIDIA H100 搭載 50MB 的 L2 快取，將與 HBM 之間的資料傳輸降到最低。在次世代 AI 晶片中，「SRAM 容量 vs HBM 頻寬 vs 運算量的平衡最佳化」已成為晶片設計的核心課題，SRAM 位元數的增加直接關係到先進邏輯製程的良率。
SRAM 的製造技術特性被用作代表先進邏輯製程效能的指標。「SRAM 單元尺寸（μm²）」是業界標準的製程節點微縮指標，台積電 N3B 已達成 0.0199μm² 的 SRAM 單元尺寸。導入 EUV 曝光以後，SRAM 單元位元線與字元線的圖案化精度提升，良率與效能同時獲得改善。高密度搭載 SRAM 的先進邏輯晶片製造，是 EUV 設備稼動率的主要驅動力。
SRAM 作為單體記憶體產品的市場屬於利基市場，但作為內建於邏輯晶片的 embedded SRAM，市場相當龐大。在先進 SoC（智慧型手機・AI GPU・網路處理器）的設計中，SRAM 占整體晶片面積 20～50% 的情況並不少見。3D 堆疊技術（面對面的 SRAM 堆疊），以及大量搭載 SRAM 的記憶體內運算（PIM）晶片的開發也在推進，SRAM 的設計與製造技術作為次世代運算的基礎技術持續演進。