製程
半導體製程是指在矽晶圓上形成微細電路的一連串步驟，以及其技術節點（2nm、3nm、5nm 等）的組合。製程節點的數值表示電路最小線寬的大致標準，微縮越進展，同樣面積可積集越多電晶體，實現高效能、低功耗的晶片。目前最先進節點結合了 EUV 曝光、GAA（Gate-All-Around）電晶體、原子層沉積（ALD）等創新技術。邏輯（CPU、GPU、SoC）與記憶體（DRAM、NAND）需要不同的製程最佳化，由台積電（TSMC）、三星（Samsung）、英特爾（Intel）等晶圓代工廠與 IDM 引領技術競爭。
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2nm 製程是以台積電的 N2（預計 2025 年量產）、英特爾的 Intel 20A/18A、三星的 SF2 等為代表的次世代先進半導體製程。
3nm 製程3nm 製程是指依業界標準「製程節點」命名稱為 3nm 的先進半導體製造技術世代，實際電晶體閘極尺寸在 10nm 級，但在效能、密度、功耗效率方面較前一代（5nm）大幅改善。
5nm 製程5nm 製程是 2020 年前後開始量產的 FinFET 技術成熟世代，以台積電的 N5、三星的 EUV 5nm 為代表。
DRAM 製程DRAM 製程是製造揮發性記憶體 DRAM（Dynamic Random Access Memory）的半導體製造技術。
GAA 製程GAA 製程（Gate-All-Around Process）是形成閘極電極完全包圍電晶體通道四周之結構（GAA：Gate-All-Around）的製程技術。
邏輯製程邏輯製程是製造 CPU、GPU、FPGA、SoC 等運算與控制元件之半導體製程技術的總稱，設計上以高速電晶體切換、低功耗、高積集度為最優先。
記憶體製程記憶體製程是製造 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 等記憶體元件之半導體製程技術的總稱。
Minimal Fab（迷你晶圓廠）Minimal Fab（迷你晶圓廠）是使用直徑 0.5 英吋的迷你晶圓與局部潔淨化技術，不使用無塵室即可製造半導體、適合少量多樣的生產方式。
NAND 製程NAND Flash 製程是製造非揮發性記憶體 NAND Flash 的半導體技術。