結論：300mmウェーハ（12インチ）と200mmウェーハ（8インチ）の違いは？
300mmウェーハと200mmウェーハの最大の違いは「1枚あたりの面積とチップ取得数」です。300mm（12インチ）は200mmの2.25倍の面積を持ち、同一ダイサイズなら約2.4〜2.5倍のチップが取れるため、大量生産ではチップあたりコストが下がり先端ロジック・DRAM・NANDに使われます。200mm（8インチ）はウェーハ単価と設備コストが安く、パワー半導体・MEMS・アナログ・マイコンなど成熟プロセスの領域で現役です。
比較表
300mmウェーハ（12インチ）200mmウェーハ（8インチ）
| 観点 | 300mmウェーハ（12インチ） | 200mmウェーハ（8インチ） |
|---|---|---|
| ウェーハ面積比 | 基準（200mmの2.25倍の面積） | 300mmの約44%の面積 |
| チップ取得数（同一ダイサイズ） | 200mmより約2.4〜2.5倍多くのチップが取れる | 面積の分だけチップ数が少ない |
| ウェーハ単価（相対比） | 高い（材料・研磨コストが上昇） | 安い |
| チップあたりコスト（大量生産時） | 低い（チップ数が多いため） | 先端品では300mmに比べ割高になりやすい |
| 対応プロセスノード | 90nm以降の先端ノード・TSMC 2nm含む最先端 | 0.18μm〜45nm程度が主流（一部65nm） |
| 主要用途 | CPUoC・GPU・DRAM・NAND・先端ロジック全般 | パワー半導体・MEMS・RF・アナログ・マイコン・センサー |
| 新規ファブ投資額（概算） | 1兆円以上（月産10万枚規模） | 数千億円程度（月産5万枚規模） |
| 装置エコシステム | ASML EUV・最新DUVなど最先端装置が対応 | 成熟装置（中古市場あり）・新規調達のリードタイム問題 |
200mmウェーハ不足が半導体サプライチェーンを揺るがした理由
2020〜2022年の半導体不足において、自動車・産業機器向けのパワー半導体・マイコン・アナログICの多くが200mmファブで製造されていたため、深刻な供給不足が生じました。300mmほど大規模な投資が行われてこなかった200mmファブは増産対応が難しく、新規ファブの建設にも2〜3年かかることから、不足が長期化しました。この教訓から、ルネサス・STマイクロ・インフィニオンが200mmファブへの追加投資を加速しています。
パワー半導体でSiC・GaNが200mmウェーハへ移行する動き
SiC（炭化ケイ素）パワー半導体はかつて4インチ・6インチウェーハが主流でしたが、現在は8インチ（200mm）への移行が急速に進んでいます。Wolfspeed・STマイクロ・ローム・三菱電機が8インチSiCウェーハ対応ファブを構築中です。8インチ化によりチップ取得数が6インチ比で約78%増加し、コストを大幅に下げることができます。さらに将来的には12インチ（300mm）SiCウェーハへの移行も研究が進んでいます。